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41今日电子 · 2010年增刊 应用指南 今日电子 氮化镓功率晶体管之基础 宜普电源转换公司 Stephen L. Colino Robert A. Beach 我们对功率半导体最基本的要 求是性能、可靠性、管控性及成本效 益。它的高频率性能，可切合稳压器 系统于体积及瞬态响应方面的需要而 具更高价值，并为D类功率放大器提 供高保真度。一个新器件结构如果不 高效、不可靠的话，根本不可能商品 化。市场上有很多新结构及原料可选 择，但是接受度有限。不过，现在有 氮化镓(Gallium Nitride/GaN)增强型 功率管控器件问世，具有高导电性、 极快开关、硅器件之成本结构及基本 操作模式等优异性能，其代表就是宜 普公司的新产品。 器件构造 一个器件的成本效益，从生产基 础设施开始计算。宜普公司的工艺技 术，基于不昂贵的硅晶园片。在硅基 板上有一层薄薄的氮化铝 (Aluminum N i t r i d e/A l)，隔离了器件结构和基 底。这个隔离层能隔离300V电压。在 这隔离层上是一层厚厚的氮化镓，晶 体管就建立于这个基础上。其中，电 子由氮化镓铝层(AlGaN)产生，其会 产生引力场，吸引大量的自由浮动电 子，而进一步的工艺会在栅极下面形 成一个耗尽区域。要增强晶体管，正 电压加在栅极处，正如开启一个N通 道、增强型之功率MOSFET。 图1显示了这个器件结构的剖面 图。该器件的表现跟 硅功率MO S F E T相 似，当然也有不同之 处，我们将再作阐 释。 操作 宜 普 氮 化 镓 晶 体管的表现跟硅功率 MOSFET非常相似。 在栅极上，相对于源极，一个正偏压 会产生吸引电子的场效应，构成基极 与源极之间的通道。由于电子被集中 在一起，不会零散地困于某一格位 置，这个通道的电阻因而很低。从栅 极移去偏压，下面的电子会分散至氮 化镓层，重新产生耗尽区域，从而阻 图1 EPC之氮化镓功率晶体管结构剖面图 图2 氮化镓及硅器件于不同电压下的性能 42今日电子 · 2010年增刊 应用指南 今日电子 电容 氮化镓晶体管的横向结构使其具 极低电荷特性，能够在数纳秒内切换 数百伏特，切换频率可达数兆赫，这 个性能可缩小功率转换器体积，并使 Ｄ类功率放大器具更高的保真度。栅 漏极间电容(C GD)是最重要的，因为 它最能影响切换功率损耗。宜普氮化 镓场效应晶体管因为具极低CGD，致 使电压切换非常迅速。相比CGD，栅 源极间电容(CGS)较大，使氮化镓晶体 管拥优异的dV/d t抗扰性能。相比硅 MOSFET，栅源极间电容(CGS)较小， 延迟时间很短，因此应用于低负载周 期时具极佳管控能力。 根据实例证明，一个1～48V降 压稳压器使用宜普之100V氮化镓晶体 管，可于1MHz切换频率下表现理想。 与硅MOSFET比较，氮化镓晶体管之 C DS也较小，虽然二者之电容曲线相 隔电压。 要制成一个高压器件，需增加漏 极与栅极之间的距离。由于氮化镓的 电子被集中在一起时的电阻非常低， 所以纵使增加阻隔电压之能力，若与 硅器件相比，其对电阻的影响会更 少。图2显示了理论上的氮化镓及硅器 件于不同电压下的性能极限，及宜普 第一代器件的效能。 各位电子工程界朋友均知道硅制 MOSFET已开发了三十年，其表现已 接近理论上的极限，若希望其表现再 进一小步，将需要庞大资源去开发。 相对来说，氮化镓器件处于产品发展 周期的起步阶段，在数年内将可预见 其重大进展。 栅极临界 氮化镓晶体管的临界比硅功率 MOSFET低，这样是有可能的，因为 临界不会随温度变化及 具备很低的栅漏极间电 容(CGD)。 图 3 显 示 了 宜 普 1001(100V，5.6mΩ)的 晶体管传输特征曲线。 当器件在1.6V电压时 开始传导大量电流，于 dv/d t转变时，栅极到 源极之间为低电阻。 电阻 阻抗(RDS(on))及栅源电压(VGS)曲线 图是跟MOSFET相似的。宜普第一代氮 化镓晶体管专为5V驱动器操作而设。 图4显示了宜普1001的一系列曲 线图。当栅极电压越接近最高水平， 漏极对源极的电阻则会持续下降。由 于栅极驱动器损耗极少，所以氮化镓 晶体管应以5V电压驱动。氮化镓晶体 管之电阻RDS(o n)温 度系数为正数，但 幅度比硅MOSFET 小很多，例如， 在125℃时，宜普 1001系数为25℃时 的1.45倍，而硅功 率MOSF ET则是 1.7倍。这个优势 会随着电压增加而 增强。 图3 传输特征曲线图 图4 不同电流下RDS(on)与VGS的比较 43今日电子 · 2010年增刊 应用指南 今日电子 似，但在相同电阻下，最大不同之处 是氮化镓晶体管之电容是极低的。 串联栅极电阻及栅极漏电流 串联栅极电阻(RG)限制了FET的 电容充电