模电单极型半导体三极管和其电路剖析.pptVIP

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2017-04-06 发布于北京
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模电单极型半导体三极管和其电路剖析.ppt

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模电单极型半导体三极管和其电路剖析

2.3 单极型半导体三极管及其电路分析场效应管概述 2.3.1 MOS场效应管的结构、工作原理及伏安特性 2. 工作原理 2. 工作原理例2.3.1 作业： *FET小结 2.3.4 场效应管基本应用电路及其分析方法例2.3.2 例2.3.3 作业： 2.3 复习要点 2.3 复习要点 *讨论讨论小结讨论小结续讨论小结续零零 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 当场效应管工作于饱和区时，对于耗尽型管有对于增强型管有 IDO是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 基本应用：放大电路、电流源电路、压控电阻、开关电路分析方法：对FET 放大电路，通常用公式法计算 Q点，用小信号模型法进行动态分析；也可用图解法。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 场效应管的小信号模型小信号模型简化小信号模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 下图中，RG=1MΩ，RS=2kΩ，RD=12kΩ，VDD=20V 。FET的IDSS=4mA，UGS(off)=-4V，求 UGSQ、IDQ 和UDSQ 。解：设FET 放大工作，则可列出代入元件参数，求解得两个解为 IDQ=4mA 和IDQ＝1mA 由IDQ=4mA，得UGSQ = -4mA×2kΩ=-8V，其值已小于UGS(off) ，对应的IDQ应为零，故不合理，应舍弃。方程解应为 IDQ＝1mA UGSQ = -（1×2）V = -2V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例2.3.2 解续：由电路可得 UDSQ =（20 -1×(12+2)）V= 6V 由于 UDSQ＞UGSQ -UGS(off) = -2V+4V = 2V 因此假设正确，计算结果有效，故 UGSQ =-2V ，IDQ＝1mA ，UDSQ = 6V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 图示场效应管放大电路中，us =20sinωt mV，场效应管的IDSS=4mA，UGS(off)= -4V，电容CS对输入交流信号可视为短路，试求交流输出电压uo的表达式。 （1）求 IDQ 、gm 该电路的直流通路及其参数与例2.3.2中相同，故 IDQ＝1mA 由耗尽型场效应管 gm计算公式得解： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例2.3.3 解续：（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例2