沈阳工业大学《半导体物理》教学PPT第二章.pptVIP

下载本文档

2
0
约6.66千字
约 32页
2017-04-06 发布于北京
举报
版权申诉

沈阳工业大学《半导体物理》教学PPT第二章.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

沈阳工业大学《半导体物理》教学PPT第二章

* * §2. 半导体中杂质和缺陷能级沈阳工业大学电子科学与技术系杂质、缺陷破坏了晶体原有的周期性势场，引入新的能级。通常在禁带中分布的能级就是这样产生的。禁带中的能级对半导体的性能有显著影响，影响的程度由能级的密度和位置决定。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级学习重点：沈阳工业大学电子科学与技术系浅能级杂质、深能级杂质杂质补偿 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1、杂质与杂质能级（1）杂质半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。（2）杂质来源无意掺入有意掺入（3）杂质在半导体中的分布状况替位式杂质间隙式杂质杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （4）杂质能级杂质引起的电子能级称为杂质能级。通常位于禁带之中的杂质能级对半导体性能有显著影响。 Eg EC EV 杂质能级 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、施主能级杂质电离后能够施放电子而产生自由电子并形成正电中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。以硅为例：在硅单晶中掺入磷（P）等V族元素。电离施主导带电子硅原子（1）施主杂质 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在Si单晶中，V族施主替位杂质的两种荷电状态的价键 (a) 电离态 (b) 中性施主态 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 施主能级（2）施主电离施主未电离时，在饱和共价键外还有一个电子被施主杂质所束缚，该束缚态所对应的能级称为施主能级。特征：①施主杂质电离，导带中出现施主提供的导电电子；②电子浓度大于空穴浓度，即 n p 。掺入施主的半导体以电子导电为主，被称为n 型半导体 EC EV Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 施主电离能 △ED = EC - ED Eg EC EV 施主能级 ED △ED = EC - ED Si、Ge中V族杂质的电离能晶体杂质磷 P 砷As 锑Sb 硅 Si 锗 Ge 0.044 0.0126 0.049 0.0127 0.039 0.0096 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 施主电离过程示意图施主杂质电离的结果：导带中的电子数增加了，这就是掺施主杂质的意义所在。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3、受主能级