霍尔磁场测磁仪指导.doc

霍 尔 磁 场 测 磁 仪 霍尔效应是磁电效应的一种。在匀强磁场中放一金属薄板，使板面与磁场方向垂直，当金属薄板中沿着与磁场垂直的方向通有电流时，金属薄板的两侧面间会出现电位差。这种电位差叫做霍尔电压，它是1879年由德国物理学家霍尔发现的。随着半导体工艺和材料的发展，先后出现了霍尔系数很高的半导体材料，使半导体霍尔元件在磁场的测量中得到广泛地应用，如现在通用的高斯计，其探头就是半导体霍尔元件制成的。 目的和要求 了解用霍尔元件测量磁场的原理。 学习并掌握用霍尔元件测量长直螺线管磁场及分布的方法。 学习并掌握用霍尔元件测量共轴线圈对磁场及分布的方法。 学习并掌握测量单个和两个线圈磁场的方法，验证磁场迭加原理。 实验仪器 HCC-2型霍尔效应测磁仪由实验装置、电路及测量仪表两大部分组成（仪器说明请参看本文附件）。 实验原理 1．用霍尔法测量磁场的原理 霍尔在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现：处在磁场中的载流导体，如果磁场方向和电流方向垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上出现横向电场，这就是霍尔效应。所产生的电场称霍尔电场，相应的电位差称霍尔电压。产生霍尔效应的载流导体称霍尔元件。如图24-1所示，在厚为d，长和宽分别为L和D的N型半导体薄片的四个侧面MN（通常为长L的两端面，称电流输入端）和PQ（通常为宽D的两端面，称电压输出端），分别引出两对电极MN极和PQ极。当MN极通入工作电流IH时，在PQ极将出现霍尔电压UH。该电压的产生是由于半导体在磁场中作定向运动的载流子（传导电荷的粒子）受到洛伦兹力fB作用而偏转，结果使电荷在PQ两侧聚集而成电场，该电场又给载流子一个与fB反向的电场力fE。当电场力fE和洛伦兹力fB达到平衡时，霍尔电压UH一定，且 （24-1） 式中比例系数K称为霍尔元件的灵敏度。根据理论推导 （24-2） n为单位体积中载流子的数量，称载流子浓度。q为载流子的电量，d为薄片的厚度。显然，霍尔元件的灵敏度K越大越好。因K和n成反比，而半导体载流子的浓度远比 图24-1 金属的为小，因此，一般霍尔元件都是用半导体材料做的。K又和d成反比，所以霍尔元件都很薄，一般只有0.2毫米。 半导体材料分N型和P型两种。N型为电子型材料，载流子为电子，传导的是负电荷；P型为空穴型材料，相当于带正电的粒子。可见图24-1所示的霍尔元件是N型半导体材料。如果图24-1所示为P型半导体材料，则P侧面带负电荷，Q侧面带正电荷。因此，知道了半导体的类型，根据霍尔电压UH的正负，可以定出待测磁场的方向。反之，知道了磁场方向，可以判出半导体的类型。 从（24-1）式可见，如果知道了霍尔元件的灵敏度K，则在测出了工作电流IH和霍尔电压UH（通常UH很小，需用电位差计测定）后，即可计算出被测磁场的磁感强度B的大小和方向。如果霍尔元件的灵敏度K为未知，则需先用标准磁感强度B根据（24-1）式定出K值，通常使工作电流IH一定，霍尔电压UH与磁感强度B值就可以从仪器上直接读出来了。这样的测磁仪器称特斯拉计（原称高斯计），特斯拉和高斯都是磁感强度B的单位，以上所述，就是用霍尔元件测量磁场的原理。必须注意，（24-1）式是在理想情形下得到的，实际上从PQ极上测得的并不仅是霍尔电压UH， 图24-2 尚包括其它因素引起的附加电压，其中尤以不等式电位差影响较大。如图24-2所示，如果不加磁场，当MN极通以工作电流IH时，等位面平行于MN平面，但由于材料本身的不均匀性和焊接PQ电极时不可能完全几何对称，即两电极不在同一等位面上，致使只要有电流IH存在，PQ间便有电位差U0产生，U0称不等式电位差。 显然，U0随工作电压的换向而换向，而磁感强度的换向对U0无影响。随着工艺水平的提高，霍尔元件的不等势电位差已能控制在0.1毫伏以内。 此外，霍尔电压的产生过程是短暂的，在10-13～10-11秒内完成，故工作电流IH可以用直流也可以用交流。IH为交流时，霍尔电压UH也是交变的，但IH和UH均为有效值。同样道理，霍尔法也可以测量交变磁场。 2．载流长直螺线管中的磁场 从电磁学中我们知道，螺线管是绕在圆柱面上的螺旋型线圈。对于密绕的螺线管来说，可以近似地看成是一系列圆线圈并排起来组成的。如果其半径为R、总长度为L，单位长度的匝数为n，并取螺线管的轴线为X轴，其中心点O为坐标原点，则（24-1）对于无限长螺线管L趋近于∞或当L远大于R的有限长螺线管，其轴线上的磁场是一个均匀磁场，且等于： （24-3） 式中—真空磁导率；—单位长度的线圈匝数；—线圈的激磁电流。 在实际中螺线管的长度是有限的，对有限长密绕长直螺线管，轴线上中点的磁感应强度