光電子技術教案-第08講.doc

2. 电光相位调制 图1所示的是一电光相位调制的原理图，它由起偏器和电光晶体组成。外电场不改变出射光的偏振状态，仅改变其相位，相位的变化为 (3.2-11) 输出光场为 则上式可写成 (3.2-12) 3.电光调制器的电学性能 对电光调制器来说，总是希望获得高的调制效率及满足要求的调制带宽。下面分析一下电光调制器在不同调制频率情况下的工作特性。 电光调制器的等效电路如图2所示。其中，Vs和Rs分别表示调制电压和调制电源内阻，C0为调制器的等效电容，Re和R分别为导线电阻和晶体的直流电阻。由图可知，作用到晶体上的实际电压 在低频调制时，一般有，也较小，因此信号电压可以有效地加到晶体上。但是，当调制频率增高时，调制晶体的交流阻抗变小，当时，大部分调制电压就降在Rs上，调制电源与晶体负载电路之间阻抗不匹配，这时调制效率就要大大降低，甚至不能工作。实现阻抗匹配的办法是在晶体两端并联一电感L，构成一个并联谐振回路，其谐振频率为，另外再并联一个分流电阻RL，其等效电路如图39所示。当调制信号频率时，此电路的阻抗就等于RL，若选择RLRs，就可使调制电压大部分加到晶体上。但是，这种方法虽然能提高调制效率，可是谐振回路的带宽是有限的。它的阻抗只在频率间隔的范围内才比较高。因此，欲使调制波不发生畸变，其最大可容许调制带宽(即调制信号占据的频带宽度)必须小于 (3.2-13) 称为“体调制器”。其缺点在于要给整个晶体施加外电场，要改变晶体的光学性能，需要加相当高的电压，从而使通过的光波受到调制 4. 电光波导调制器 ⑴电光波导调制器的调制原理 TE模和TM模之间的耦合，导致模式之间的功率转换。即一个输入模TE（或TM）的功率或转换到输出模TM（或TE）上去，相应的耦合方程为 (3.2-14) ⑵电光波导相位调制 电光波导相位调制器结构如图 4所示。 ⑶电光波导强度调制 电光波导强度调制器的结构类似于马赫一曾德（MZ）干涉仪。MZ干涉型调制器示意图如图5所示。假定在波导的输入端激励一TE模，在外加电场的作用下，在分叉的波导中传输的导模由于受到一大小相等、符号相反的电场Ec的作用（因为两分支导结构完全对称），则分别产生(( 和((( 的相位变化。设电极长度为l，两电极间距离为d，则两导模的相位差为。在输出的第二个分叉汇合处，两束光相干合成的光强将随相位差的不同而异，从而获得强度调制。 在MZ干涉仪型强度调制器中，为了提高其调制深度及降低插入损耗，必须采取以下措施： ① 分支张角不宜太大（一般为1(左右），因为张角越大，辐射损耗越大。 ② 波导必须设计成单模，防止高阶模被激励。 ③ 波导和电极在结构上应严格对称，使两个调相波的固定相位差等于零。 此外，电光波导强度调制器还有走向耦合调制器、折射率分布调制器、电光光栅调制器等类型。 3.3声光调制 1.声光调制器的工作原理 声光调制是利用声光效应将信息加载于光频载波上的一种物理过程。调制信号是以电信号(调辐)形式作用于电-声换能器上而转化为以电信号形式变化的超声场，当光波通过声光介质时，由于声光作用，使光载波受到调制而成为“携带”信息的强度调制波。 布喇格衍射效率均与附加相位延迟因子有关，声致折射率差正比于弹性应变S幅值，而S正比于声功率Ps，故当声波场受到信号的调制使声波振幅随之变化，则衍射光强也将随之做相应的变化。 布喇格声光调制特性曲线与电光强度调制相似，如图1所示。由图可以看出：衍射效率(s与超声功率Ps是非线性调制曲线形式，为了使调制波不发生畸变，则需要加超声偏置，使其工作在线性较好的区域。 拉曼-纳斯型衍射，调制器的工作原理如图2(a) 所示，工作声源频率低于 10MHz。布喇格型声光调制器工作原理如图2(b)所示。在声功率Ps(或声强Is)较小的情况下，衍射效率(s随声强度Is单调地增加(呈线性关系)： (3.3-1) 式中的因子是考虑了布喇格角对声光作用的影响。由此可见，若对声强加以调制，衍射光强也就受到了调制。布喇格衍射由于效率高，且调制带宽较宽，故多被采用。 2. 调制带宽 允许的声频带宽与布喇