申請號CN02160212.3名稱三維可控缺陷態光子晶體的制備方法主.doc

------------------------------------------------------------ 申请号:C3 名称:三维可控缺陷态光子晶体的制备方法 主分类号:G02F1/01(2006.01)I 分类号:G02F1/01(2006.01)I 申请（专利权）人:中国科学院物理研究所 发明（设计）人:田 洁;程丙英;张道中 公开（公告）日:2006.01.11 公开（公告）号:CN1236344 专利代理机构:北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人:王凤华 申请日:2002.12.31 地址:100080北京市海淀区中关村南三街8号 摘要:本发明涉及一种三维可控缺陷态光子晶体的制备方法，该方法采用单光束 光镊法与自组织法相结合制备可控缺陷态的三维光子晶体。三维光子晶体是由 单分散的微粒组成，用光镊控制适当的小球，制成大面积无缺陷的单晶光子晶 体。还可以在光子晶体制备的过程中引入缺陷，制备具有可控缺陷态的三维光 子晶体。本发明克服了以往单纯自组织生长三维光子晶体无法控制缺陷态的缺 点，达到在自组织生长三维光子晶体时缺陷态可以任意设置。该方法易于操作， 制作的三维光子晶体的缺陷态控制准确。 主权项:1、一种三维可控缺陷态光子晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)将溶剂与定量均匀直径的实心固体小球混合形成悬浊液；小球总体积 与悬浊液的体积比在1∶1000～1∶100之间；然后振荡悬浊液，使得小球在悬浊 液中形成单分散的均匀分布； (2)在悬浊液中放入酸溶液，调节悬浊液的pH值在4～5之间； (3)选取一平面基片，用聚焦离子束在基片上打出直径均匀的小洞，小洞 成周期性排列；相邻小洞之间的距离等于小球直径；单个小洞的直径小于小球 直径； (4)将制备好的悬浊液滴在平面基片上，悬浊液中的小球自动的在基片上 的小洞上面自组织排列；控制滴加的悬浊液的体积，使得小球在平面基片上为 1～2层； (5)使用光镊系统的激光光镊俘获所述平面基片上的小球，并移动小球， 使得小球在平面基片上形成与平面基片小洞相同的周期性排列； (6)按顺序重复步骤(4)和(5)，直到制备出所需大小的无缺陷的光子 晶体；在制备无缺陷光子晶体的过程中，在步骤(5)之后，滴加与所述实心固 体小球不同介质的异质小球悬浊液，使用光镊俘获所述异质小球，并移动至需 要缺陷的位置，然后继续按顺序重复步骤(4)和(5)，直到制备出所需大小的 有缺陷的光子晶体；所述的异质小球悬浊液的制备方法同步骤(1)和(2)；所 述的异质小球的直径与所述的实心固体小球直径相等。 范畴分类: 国省代码:北京;11 ------------------------------------------------------------ 申请号:C3 名称:像素暗点化方法 主分类号:G02F1/13(2006.01)I 分类号:G02F1/13(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I 申请（专利权）人:三洋电机株式会社 发明（设计）人:松浦祯亮;濑川泰生;德永雅彦 公开（公告）日:2006.01.11 公开（公告）号:CN1236345 专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 代理人:陈景峻;王忠忠 申请日:2001.11.28 地址:日本大阪府 摘要:可靠地进行不良像素的暗点化。用激光切断连接多晶硅层20和像素电 极28的触点26的周围来形成区域50。通过该切断区域50还切断触点26 周边的多晶硅层20。由此，使TFT24和像素电极28及辅助电容电极32断 开，可靠地进行暗点化。 主权项:1.一种像素暗点化方法，通过对每个像素设置的薄膜晶体管来控制施加 到对应的像素电极的电压，从而进行显示装置中的不良像素的暗点化， 其特征在于，所述显示装置具有所述像素电极的一部分在所述薄膜晶体 管的电极上经绝缘层叠层的像素电极；和将所述像素电极的一部分与薄膜晶 体管的电极贯通所述绝缘层连接的触点； 在连接所述像素电极的一部分和薄膜晶体管的电极的所述触点附近，通 过用激光切断所述像素电极的一部分，来断开触点和像素电极，使对应像素 暗点化。 范畴分类: 国省代码:日本;JP ------------------------------------------------------------ 申请号:C1 名称:电光装置、其驱动电路、驱动方法和电子装置 主分类号:G02F1/133(2006.01)I 分类号:G02F1/133(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I 申请（专利权）人:精工爱普生株式会社 发明（设计）