5_场效应三极管_Revised讲稿.pptVIP

MOS管使用注意事项： MOS管中, 有的产品将衬底引出，形成四个管脚。则衬-源间的电压vBS必须保证衬-源间的PN结反向偏置，P衬底接低电位，N衬底接高电位。 场效应管的漏极与源极通常可以互换，且不会对伏安特性曲线产生明显影响。注意：有些产品出厂时已将源极与衬底连在一起了，这时源极与漏极就不能进行对调。 MOS管不使用时 , 由于它的输入电阻非常高, 须将各电极短路 , 以免受外电场作用时使管子损坏。即：MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 焊接MOS管时，电烙铁须有外接地线，用来屏蔽交流电场，以防止损坏管子。特别是焊接绝缘栅场效应管时，最好断电后再焊接。 结型场效应管结构与工作原理 结型场效应管结构 结型场效应管工作原理 结型场效应管(JFET) N沟道管的结构示意图和符号 g s d g s d P沟道管的结构示意图和符号 耗尽层 P+ N g s d 源极 栅极 漏极 导电沟道 耗尽层 N+ P g s d 源极 栅极 漏极 导电沟道 JFET工作原理（以N沟道FET为例） 1、当vDS= 0时，vGS对导电沟道的影响 N g s d vDS= 0，vGS= 0 耗尽层很窄，导电沟道很宽 |vGS|逐渐增大时 g s d VGG (vGS) 耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大 g s d VGG (vGS) |vGS|增大到夹断电压VPN 耗尽层闭合，沟道消失，沟道电阻无穷大 2、当vGS为VPN ~ 0 中某一个固定值时，vDS对漏极电流iD的影响 (1) 当vDS=0时，导电沟道虽然存在，但多子不会产生定向移动， iD=0 (2) 当vDS0时 耗尽层将出现楔形，靠近漏极端较宽，靠近源极端较窄。 g s d VGG (vGS) VDD (vDS) iD 只要不出现夹断区域，沟道电阻基本决定于vGS， iD随vDS增大线性增大。 JFET工作原理（以N沟道FET为例） (3) 当vDS增大到使vGD=VPN时 耗尽层一端出现夹断区。 g s d VGG (vGS) VDD (vDS) iD —称vGD=VPN为预夹断 g s d VGG (vGS) VDD (vDS) iD (4) 当vGDVPN时， vDS增大时，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD基本不变，仅仅决定于vGS，表现为恒流特性。 2、当vGS为VPN ~ 0 中某一个固定值时，vDS对漏极电流iD的影响 -1V iD vDS O -2V -4V -3V VGS=0 预夹断轨迹 可变电阻区 恒 区 流 击穿区 截止区 VPN -1V iD vGS O -2V -4V -3V IDSS 夹断电压 漏极饱和电流 JFET的特性曲线及参数(N沟道) 转移特性 输出特性 (VPN≤vGS≤0) P沟道JFET的特性曲线如何？ 主要参数 夹断电压VGS(off)（VPN） 饱和漏电流 IDSS 直流输入电阻RGS 低频互导gm JFET的特性曲线及参数 VPN -1V iD vGS O -2V -4V -3V IDSS JFET的特点： JEFT栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，因此，iG ≈0，输入电阻很高。 JEFT是电压控制电流器件，iD 受vGS控制。 预夹断前， iD 与uDS呈现线性关系；预夹断后， iD 趋于饱和。 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 vGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ vGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ vGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 场效应管的分类——小结 双极型三极管和场效应三极管比较 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 双极型三极管 场效应三极管 两种载流子 一种载流子 电流控制电流源 电压控制电流源 输入电子较小 输入电阻很大 放大倍数大 噪声低 例1 已知某管子的输出特性如图所示。试分析该管是什么类型的场效应管(结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型)？ *判断管子的类型，主要是看iD、vDS和vGS的正负。 N沟道增强型MOS管 iD/mA vDS/V 8V O 10V 6V 4V 0.25 1 2 3V 6V 9V 12V 练习： 已知管子的转移特性下图所示。试分析管子是什么类型的场效应管(结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型)？并写出它的开启电压或夹断电压。 iD/mA vGS/V O 1 2 3 -4 -2 iD/mA uGS/V O