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浙大微电子 PWM电路 */32 浙大微电子 7、压控振荡器(VCO)的设计 电感L0和电容C0构成基本谐振腔 M1、M2为谐振腔提供能量 控制信号CW0和CW1（0 /0.8V） 控制开关电容阵列，提供频率粗调（频宽，150MHz） 控制信号Vctrl(0-0.8V)控制变容管 提供频率细调 VDD=0.5V */32 浙大微电子 8、过温保护电路的设计 125℃对应的Q1的BE结导通电压为0.45V 85℃对应的Q1的BE结导通电压为0.53V 0.45V 0.53V VBQ1= I1 ( R1+R2//RQ2 ) = 0.45V VBQ1= I1 ( R1+R2) = 0. 53V 低温-- Q2 导通 高温-- Q2 截止 0.45V 0.53V */32 浙大微电子 9、欠压保护电路的设计（4.7-5.7V） 当电路初启时，Vc增大，当Vc =5.7V时，Va大于基准电压，使比较器C2 输出低电平。Vb也大于基准电压，使比较器C1 输出高电平。经RS触发器等逻辑电路后输出高电平。电路进入正常工作状态。 电路一旦进入正常工作状态，将应该允许工作电压有一个适当的波动范围4.7-5.7V. 当Vc低于设定下限4.7V时，Vb小于基准电压。Va也小于基准电压，那么C2输出为高电平，C1输出为低电平。这时，RS触发器等逻辑电路输出低电平，关断内部供电电路以及输出电路，起到欠压保护作用。 */32 浙大微电子 求各电阻及Vr的设计值 列方程： 5.7 R3 / (R1+R2+R3) Vr （1） 4.7（R2+R3）/ (R1+R2+R3) Vr （2） 即 4.7（R2+R3）/ (R1+R2+R3) Vr 5.7 R3 / (R1+R2+R3) （3） 亦即 4.7（R2+R3） 5.7 R3 得 4.7R2 R3 （ 或 R3 4.7R2） （4） 若令： R2 = R1= 1K, R3 = 5K, 则（3）式变为：（4.7 * 6）/ 7 Vr （5.7 * 5）/ 7 即 4.03 Vr 4.07（V），取Vr = 4.05V */32 浙大微电子 产品设计时的实际考虑： 考虑到Vr的精度控制难度及会带来的稳定性问题，设计应留有充分的裕量。尝试着将R3取大。 Vr不可能取Vc及以上； 考虑到Vc可以工作在4.7V+，所以Vr应在4.7 V以下。 令R1=R2=1K, R3=10K, 则（3）式变为 （4.7 * 11）/ 12 Vr （5.7 * 10）/ 12 即：4.3 Vr 4.75（V）， 取Vr = 4.5V */32 浙大微电子 作业布置 FSK功能模块设计实现： 输入一个564KHz的键控信号， 当键控信号为1时，模块产生并输出4.5MHz左右的信号(*8) 当键控信号为0时，模块产生并输出3.9MHz左右的信号(*7) 用模拟电路的方法实现 2.电路图设计（手工绘制，用Schametic Editing 输入电脑） 3.仿真验证（Spectre） 4.全定制版图设计（Layout Editing） 用数字电路的方法实现 5.HDL代码编写（手工编写，用文本编辑器输入到服务器，再利用Modelsim仿真验证） 6.逻辑综合及综合后时序验证（Design compiler和Modelsim） 7.自动布局布线的版图设计（Astro） */32 浙大微电子 Thanks ！ */32 第三讲模拟IC及其模块设计 浙大微电子 韩 雁 2013.3 浙大微电子 内容 模拟IC制造的工艺流程 模拟IC设计需要具备的条件 模拟IC设计受非理想因素的影响 带隙基准源的设计 运算放大器的设计 电压比较器的设计 压控振荡器的设计 过温保护电路的设计 欠压保护电路的设计 */32 浙大微电子 内容 模拟IC制造的工艺流程 模拟IC设计需要具备的条件 模拟IC设计受非理想因素的影响 带隙基准源的设计 运算放大器的设计 电压比较器的设计 压控振荡器的设计 过温保护电路的设计 欠压保护电路的设计 */32 浙大微电子 1、IC制造的基本工艺流程 1、P阱 (或N阱) 2、有源区 (制作MOS晶体管的区域) 3、N-场注入 ( 调整P型MOS管场区的杂质浓度,减小寄生效应 ) 4、P-场注入 ( 调整N型MOS管场区的杂质浓度,减小寄生效应 ) 5、多晶硅栅 ( MOS管的栅极或称门极 ) 6、N+注入 ( 形成N型MOS管的源漏区 ) 7、P+注入 ( 形成P型MOS管的源漏区 ) 8、引线孔 ( 金属铝与硅片的接触孔 ) 9、