第2章微机内存及扩展例析.ppt

第2章 微型计算机内存及扩展技术 《新编微机原理与应用》—中国电力出版社 存储器都是挂在总线上的，并由系统分配唯一的地址，地址信息经过地址译码电路产生一个选通信号片选），选中某一片存储器，对该存储器进行读写操作。 当CPU访问存储器时，出现在地址总线（AB）上的地址信号可划分为两部分，直接与存储器连接的地址线可称为片内地址线，其所用N根,容量等于2N；其中N为片内地址线的根数；剩余的地址线称为片外地址线，常可做为存储芯片的片选地址线或译码电路的输入地址线。 2、存储器芯片片选信号的产生 * 《新编微机原理与应用》—中国电力出版社 * 2.1 微型计算机存储器体系结构 存储器是计算机的重要部件，有记忆功能，用来存放指令代码和操作数。 内存储器 （半导体存储器芯片） Cache存储器 主存储器（RAM和ROM） 外存储器（软盘、硬盘、光盘） 后备存储器（磁带、光盘） 外存储器 (辅助存储器) 在计算机系统中常采用三级存储器结构。 2.2 微型计算机内存 §2.2.1 内存分类 随机存储器 （RAM） 只读存储器 （ROM） 半存 导储 体器 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM/ iRAM） 掩膜式ROM（MROM） 可编程ROM（PROM） 可擦除PROM（EPROM） 电可擦除PROM（EEPROM） 1、容量 存储器芯片的容量是以存储1位（bit）二进制数为单位的，因此存储器的容量即指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。 存储器容量 = 存储单元数 x 位数 例：1K x 8bit =1024 x 8bit 虽然微型计算机的字长已经达到16位、32位甚至64位，但其内存仍以一个字节为一个单元，不过在这种微型计算机中，一次可同时对2、4、8个单元进行访问 。 §2.2.2 内存的主要性能指标 2、存取速度 存储器芯片的存取速度是用存取时间来衡量的。它是指从CPU给出有效的存储器地址信息到完成有效数据存取所需要的时间。存取时间越短，则速度越快。超高速存储器的存取时间已小于20ns，中速存储器在100~200ns之间，低速存储器的存取时间在300ns以上。 3、可靠性 4、功耗 5、集成度 半导体存储器的基本结构 1．存储体 每个基本存储电路存放一位二进制信息，这些存储电路有规则地组织起来，构成了存储体(存储矩阵)。 为了便于信息的存取，给同一存储体内的每个存储单元赋予一个惟一的编号，该编号就是存储单元的地址。这样，对于容量为2n个存储单元的存储体，需要n条地址线对其编址。若每个单元存放M位信息，则需要M条数据线传送数据，芯片的存储容量就可以表示为2n?M位。 2．外围电路 外围电路主要包括地址译码电路和由三态数据缓冲器、控制逻辑两部分组成的读/写控制电路 1) 地址译码电路 2) 读/写控制电路 3．地址译码方式 芯片内部的地址译码主要有两种方式，即单译码方式和双译码方式。单译码方式适用于小容量的存储芯片，对于容量较大的存储器芯片则应采用双译码方式。 图 单译码方式 简单的16字?4位的存储芯片为例。将所有基本存储电路排成16行?4列。每一行对应一个字，每一列对应其中的一位。每一行的选择线和每一列的数据线是公共的。图中，A0?A3 4根地址线经译码输出16根选择线，用于选择16个单元。 1 0 0 0 1) 单译码方式 2) 双译码方式 行选择线X和列选择线Y。每一根X线选中存储矩阵中位于同一行的所有单元，每一根Y线选中存储矩阵中位于同一列的所有单元，当X线和Y线同时有效时，存储单元被选中。 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1、静态存储器（SRAM） SRAM内部采用双稳态电路存储二进制数信息0和1。 T1，T2控制管； T3，T4负载管。 T1截止，Q=1(高电平) T2导通，Q=0(低电平)。 T1导通，Q=0(低电平) T2截止，Q=1(高电平)。 §2.2.3 随机读写存储器（RAM） 1）SRAM的数据位存储电路 2）SRAM的数据位存储阵列 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 行选择线X和列选择线Y。X线选中存储矩阵中位于一行的所有单元，Y线选中存储矩阵中位于一列的所有单元，当某一单元的X线和Y线同时有效时，相应的存储单元被选中。 6116（2K×8）、6264（8K×8）、 62128（16K×8）、62256（32K×8） 6116芯片的容量为2K×8位，有2048个存储单元，片内地址线11根A10～A0，7根用于行地址译码输入，4根用于列地址译码输入，从而形成了16×128个位存储阵列，6116