Exp4偏振实验(一)目的了解TEwave与TMwave在外部入射的反射.doc

Exp4偏振實驗(一) 目的： 了解TE wave與TM wave在外部入射的反射現象及Brewsters angle的應用，以及理解Maluss law的各種現象。 原理： (1)TE Wave與TM Wave的反射率 TE (Transverse Electric field) wave為入射光的電場與入射面垂直，如圖: 為滿足邊界條件，可得下式： TM (Transverse Magnetic field) wave為入射光的磁場與入射面垂直，如圖： 下式也同為滿足邊界條件， 我們可知， 將式(5)帶回式(2)得到下式，我們假設n1=ni、n2=nt， (6) 又反射數(Reflection coefficient)， 然後我們定義相對折射率， 又根據Snells law得知， 所以我們可以推得TE Wave和TM Wave的反射係數，對TE wave來說： 對TM wave來說： 我們將替換成下式， 所以我們可以將式(12)帶回式(10)和式(11)，得到： 對外部反射(External reflection)來說， 又ni=1， 所以我們可以求得反射率(Reflectance)， 當光垂直入射(θ=0°)時， 下圖為TE()與TM()的反射率和入射角的相對關係： (2)Maluss law Maluss law是敘述一個線偏振光，以一個傳輸軸與電場向量間的夾角θ通過偏振片後的強度。將線性偏振光入射到偏振片，那麼藉由旋轉偏振片，我們可以分析入射光的偏振狀態。假設偏振片的透振軸相對於入射光中電場的角度為θ，那麼只有Ecosθ的分量允許通過這一個偏振片，經過偏振片的光強度正比於電場的平方，亦即檢測到的強度隨(Ecosθ)2而變。因為當θ = 0(電場平行於偏振片的透振軸)時，所有的電場將通過，這是最大入射條件，在任何其他角度θ，入射強度由Maluss law可知： 儀器： 綠光雷射(532 nm) x1 方解石(calcite) x1 532nm 半波片x1 反射鏡x2 x1 載玻片x1 Glan-Laser 偏振稜鏡x1 偏振片x1 雷射功率計(Power meter)x1 ＊方解石會分出兩道光，一道為O-ray (尋常光線)，另一道為E-ray (異常光線)。O-ray為原入射光的方向，如下圖： 實驗中所使用的綠光雷射並非為線偏振，為了使其轉換成線偏振，我們在綠光雷射前加裝一個Glan-laser 偏振稜鏡，它是一種雙折射的線偏振稜鏡，也是一個線偏振分割器，分開出來的光具有正交偏振。它是由兩個方解石(calcite)的直角稜鏡組成，將斜邊接觸放置，形成一個矩形方塊，Glan-laser偏振稜鏡是Glan-Taylor偏振稜鏡的改良，Glan-Taylor的構造如下圖所示： 它們的基本結構是相同的，也就是晶體光軸的安排方向是相同的，只不過Glan-laser偏振稜鏡能夠承受雷射等級的入射光強度，散射損耗也比較小。 步驟： (一)TE Wave與TM Wave的反射率量測 1.校準光路： (1)首先架設綠光雷射與兩面反射鏡，讓入射光與兩面反射鏡的夾角接近呈45°，盡量將光入射於反射鏡的中心，架設如圖一： (2)把放置於號反射鏡的左方，調整號反射鏡的上旋鈕，如圖二讓光能，再放置於屏幕前，接著調整號反射鏡的上旋鈕讓光能： (3)重複步驟(2)直到自製等高器前後擺放的位置皆能讓光能，完成後並在屏幕上點出線偏振光的位置。 2.檢驗TE Wave和TM Wave的偏振方向與反射率之量測： 在號反射鏡後方架設Glan-Laser偏振稜鏡與方解石，使光入射Glan-Laser 偏振稜鏡與方解石中間，調整方解石讓反射光打回號反射鏡與鏡上的入射光同一點，如圖三： 注意事項：擋去Glan-Laser 偏振稜鏡斜向出射光，避免直射自己或他人眼睛。 此時，O-ray的偏振方向與TE Wave的電場方向相同，與入射面垂直。 (2)接著在方解石和Glan-Laser 偏振稜鏡中間架設半波片，旋轉半波片，使E-ray消失不見，只留下O-ray，即為TE Wave，再將方解石移走，如圖四： (3)在屏幕前架設載玻片，盡量讓光入射於載波片之中心，接著旋轉載玻片，利用雷射功率計測量反射光之功率，反射光方向須與偵測器垂直，每度測量一點，記錄功率，如圖五： (4)完成步驟(3)之後，把載玻片移開，並將方解石放回原來的位置，並旋轉半波片使O-ray消失不見，只留下E-ray，即為TM Wave。(註：E-ra