LPCVD实验预案 Ver2.1.doc

目录 第一章 绪论 3 1.1理论综述 3 1.2薄膜性能与测试项目 3 1.2.1光学性能 3 1.2.2电学性能 3 1.3文献实验调研 3 1.3.1温度对薄膜性能的影响 3 1.3.2气体对薄膜性能的影响 5 1.3.3腔室压强对薄膜性能的影响 6 1.3.4厚度对薄膜性能的影响 7 1.3.5退火对薄膜性能的影响 7 1.4薄膜特性要求(初步要求)： 8 第二章 初步测试性实验 9 2.1实验目的 9 2.2玻璃片传输的考虑 9 2.3源的温度设定 9 2.4源的稀释与载气设定 9 2.5预加热实验 9 2.6气体流量与温度实验 10 2.7衬底温度实验 11 2.8掺杂浓度实验 13 2.9生长气压实验 13 2.10水汽分压实验 13 第三章 特定薄膜 15 3.1实验目的 15 3.2实验方式 15 第四章LPCVD机台各腔室判定 16 4.1实验目的 16 4.2实验方式 16 第五章 优化实验 17 5.1实验目的 17 5.2实验方式 17 5.2.1掺杂优化 17 5.2.2生长优化 17 5.2.3退火工艺 18 5.2.4薄膜表面处理实验 18 附录：问题及其应对方法 19 第一章 绪论 1.1理论综述 BZO薄膜LPCVD沉积工艺的原理为：在一定真空度的腔室内通入DEZ（Zn源）和H2O（氧源）两种主要反应气体，DEZ和水发生水解反应生成ZnO，反应过程为 Zn(C2H5)2+H2O→2C2H6+ZnO 为提高ZnO的电导性，降低电阻率，一般对ZnO进行硼掺杂，掺杂气体为B2H6，反应稀释气体为H2。其中DEZ和H2O常温下为液体，通过N2在一定温度下载入，通过对基板的加热来促进反应的进行和薄膜的沉积。在一定温度下，所沉积的ZnO薄膜发生择优生长，形成雾面表观。 1.2薄膜性能与测试项目 1.2.1光学性能 作为薄膜电池前电极材料，对薄膜的光透过性具有较高的要求，而高的光透过性是通过对光谱吸收和表面光散射（雾度）能力的控制来实现的。光谱吸收主要包括自由载流子吸收和带间吸收两个部分，自由载流子通过掺杂控制，光学带隙则靠薄膜的晶体结构控制；薄膜表面光散射反应的是薄膜表面形貌，而其表面形貌主要由薄膜表面的结晶状况决定，高的结晶率和较大的晶粒尺寸是高散射率的保证。 1.2.2电学性能 作为电极材料必须具有较低的电阻率，通常用方阻来表示其电阻率的高低，薄膜导电性主要由自由载流子的浓度和载流子的迁移率决定，同时收到微观晶体的影响，较好的结晶度以及致密的结构也是高导电率的保证。 1.3文献实验调研 1.3.1温度对薄膜性能的影响 沉积温度是LPCVD沉积BZO薄膜最敏感的参数，直接决定着薄膜的晶体结构，表面粗糙度，电学和光学特性。薄膜的生长速率也是强烈依赖于沉积温度。在130-240℃之间，薄膜生长速率随着沉积温度的升高而升高。薄膜在155℃左右具有较优的金字塔状表面形貌，因此具有较好的雾度。当温度低于或高于155摄氏度时，薄膜的表面形貌发生变化，雾度会下降。 在任何沉积温度下，BZO都表现出优良的透光性，但其雾度跟沉积温度紧密相关，因为雾度决定于表面形貌，也就决定于沉积温度。LPCVD沉积的BZO是多晶体，纤维锌矿结构。当薄膜沉积温度低于150℃时，薄膜是c轴择优取向，(0002)面平行于基片，薄膜表面平整，雾度基本为0，没有光散射功能。当薄膜沉积温度介于150-200℃时，薄膜沿[110]取向，表面出现金字塔结构，155摄氏度时为最优。当薄膜沉积温度大于200℃时，薄膜的取向随机。所以，140-180℃这个温度区间值得我们重点关注。 至于薄膜的电阻率，有报道指出其在155℃显示出最低的电阻率，此时晶粒尺寸也是最大。具体电阻率的值也与气体的流量密切相关。 沉积温度/℃ 晶体取向 表面形貌 130 146 164 180 236 1.3.2气体对薄膜性能的影响 1.3.2.1水蒸气与二乙基锌的流量比 水蒸气与二乙基锌的流量比影响着薄膜对光的吸收。过量的二乙基锌会使得薄膜对光的吸收增强。据文献报道，当H2O/DEZ1.2时，薄膜表面具有明显的绒面结构。随着比例的增大，薄膜表面的晶粒尺寸变小，雾度降低。同时，薄膜的方块电阻先是逐渐变小，后来急剧增大。综合各方面数据，文献支持的较优比例为1.3。在该比例下，薄膜具有较大的雾度和较小的方块电阻。实验中依该比例选取。 1.3.2.2硼烷与二乙基锌的流量比 一般来说，掺杂的浓度越高，薄膜的电阻率就会越低。但是，掺杂浓度太高，由于离子散射增强，薄膜的电阻率反而会升高。同时，过量掺杂剂会在晶界处聚集，形成电子俘获中心。掺杂也会导致薄膜的近红外光透过