三氯氢硅生产知识.docVIP

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三氯氢硅生产知识

三氯氢硅生产方法 硅氢氯化法 该方法是用冶金级硅粉,作原料,与氯化氢气体反应。可使用铜或铁基催化剂。反应在200---800和0.05---3mpa下进行 2Si+HCL======HsiCL3+SiCL4+3H2 该反应所用反应器经历了从固定床、搅拌床到流化床的发展过程。工艺也从间歇发展到连续。反应器由碳钢制成,预先将归粒子加入到反应器,加热到所需地温度后,从底部连续通入氯化氢气体,产物及未反应物料被连续输出,经除尘精制后,用于生产高纯多晶硅和高纯硅烷。 上述反应是放热反应,反应热为-141。8千焦/摩尔??升高温度有利于提高反应速率,但同时导致三氯氢硅选择性下降,通过优化反映温度,可明显提高三氯氢硅的选择率。例如在300---425度和2到5千帕条件下使硅和氯化氢反应,产物以600---1000千克/小时输出,三氯氢硅的选择率竟高达80—88%,副产物包括质量分数1%--2%二氯硅烷和1—4%的缩聚物,其余为四氯化硅。 氯化氢气体中的水分三氯氢硅的收率优很大影响。,因此必须严格干燥。硅与氯化氢生成三氯氢硅的反应应该是零级反应,使用纯度大于99。99%的硅原料时氢硅的收率较低。在一个?微型反应器中作了研究,结果表明冶金级原料中所含杂质铝对反应有催化作用,可使反应温度降低,三氯氢硅收率提高。 2、四氯化硅氢化法 3SiCL4+2H2+Si===============4HsiCL3 反应温度400-----800 压力2---4兆帕 该反应为平衡反应,为提高三氯氢硅的收率,优选在氯化氢存在下进行,原料采用冶金级产产品通过预活化除去表面的氧化物后,可进一步提高三氯氢硅的收率 三氯氢硅与四氯化硅沸点差距25度,且不产生共沸物,所以比较容易分离。 三氯氢硅生产工艺流程 1、三氯氢硅合成 将硅粉卸至转动圆盘,通过管道用气体输送至硅粉仓,再加入硅粉干燥器,经过圆盘给料机并计量后加入三氯氢硅合成炉。在三氯氢硅合成炉内,温度控制在80—310℃,硅粉和氯化氢发生反应,生成三氯氢硅和四氯化硅。生成的三氯氢硅和四氯化硅气体经沉降器、旋风分离器和袋式过滤器除去粉尘及高氯硅烷,经水冷后经隔膜压缩机加压,再用-35℃冷媒冷凝为液体。不凝性气体通过液封罐进入尾气淋洗塔,经酸碱淋洗达标后排放。 2、三氯氢硅分离 三氯氢硅和四氯化硅混合料(三氯氢硅含量为80—85%)进入加压塔,采用两塔连续提纯分离,通过控制一定的回流比,最终得到三氯氢硅含量为99%以上的产品和四氯化硅含量为95%以上的副产物。 含尘废气主要是输送硅粉的氮气,先经布袋除尘回收硅粉,然后经水洗涤,洗涤废水经沉淀后循环使用,尾气洗涤后排入大气。布袋除尘器除尘率为99%,洗涤除尘率按50%计,总除尘效率达到99.5%,经处理后达标排放。不凝气体主要含有保护气体,其余还含有少量的氯硅烷、氯化氢等。 经过低温冷凝后剩余的不凝气送废气处理装置,氯硅烷系列遇水迅速分解成硅酸和氯化氢,氯化氢气体先被稀盐酸循环吸收为浓盐酸回收使用,微量部分被碱液吸收、反应。废气主要成份有氮气,废气经淋洗处理后,通过车间排气筒达标排放。在满足要求的前提下尽量选用转速低、噪声小的设备;同时对鼓风机设独立的隔声间,与所在的楼层分开,以减轻振动而产生的噪声;对空压机、鼓风机、泵等进气管装消音器,并设隔声操作室,减少室内噪声污染,改善工人作业环境。 烟筒设置足够的高度,使烟气的排放符合国家《大气污染物综合排放标准》二级标准的要求。 三氯氢硅生产的火灾危险及对策 三氯氢硅又称三氯硅烷、硅氯仿,英文名称:trichlorosilane或silicochloroform,分子式为SiHCl3,用于有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成,是有机硅烷偶联剂中最基本的单体,也是生产半导体硅、单晶硅的原料,随着有机硅烷偶联剂工业的发展而出现供不应求,生产量越来越大。一、三氯氢硅的理化特性及生产原理   三氯氢硅是采用硅粉与氯化氢气体在流化床反应器中生成。它是无色液体,易挥发,易潮解,在空气中发生反应产生白烟,遇水分解,溶于苯、醚等有机溶剂。属一级遇湿易燃物品,易燃易爆,遇水反应产生氯化氢气体;它与氧化剂发生强烈反应,遇明火、高热时发生燃烧或爆炸。   其物理特性如下:比重:1.35;相对气体密度:4.7;沸点:31.8;饱和蒸气压(14.5)53.33Kpa;闪点:-13.9(开杯);自燃温度:175;爆炸下限:6.9%;爆炸上限:70%;溶解性:溶于苯、醚等有机溶剂;具有急性毒性。 二、三氯氢硅生产的火灾危险性分析   三氯氢硅生产的原料都是不燃物质,但是其生产过程中的产物大都是易燃易爆物质,如氢气、三氯氢硅、氯气等。   1、电解食盐水的火灾危险性 (1)

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