半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.pdfVIP

第 25 卷第 6 期 半 导 体 学 报 Vol . 25~ No . 6 2OO4 年 6 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUC ORS June ================================================================= ~ 2OO4 国家自然科学基金资助项目 ( 批准号 , 5OO77O17~ 1O376O25/ A O6) 施 卫 男 ~ 1957 年出生 ~ 博士 ~ 教授 ~ 博士生导师 ~ 从事光电子器件研究 . E - mail , SwShi @ mail . xaut . edu . cn 2OO3-O6-31 收到 ~ 2OO3-1O-21 定稿 O c 2OO4 中国电子学会 半绝缘 Gaas 光电导开关的击穿特性 施 卫 田立强 ( 西安理工大学应用物理系 ~ 西安 71OO48) 摘 要 , 研究了在不同触发条件下半绝缘 GaAS 光电导开关的击穿特性 . 当触发光能量和偏置电场不同时 ~ 半 绝 缘 GaAS 光电导开关的击穿损坏程度也不同 ~ 分别表现为完全击穿 ~ 不完全击穿和可恢复击穿三种类型 . 通过对击穿 实验结果的分析认为 ~ 电子俘获击穿机制是导致半绝缘 GaAS 光电导开关击穿损坏的主要原因 . 偏置电场和陷阱电 荷所产生热电子的数量和动能决定了 Ga AS 键的断裂程度 ~ Ga AS 键的断裂程度则反映半绝缘 GaAS 光电导开 关的击穿类型 . 关键词 , 砷化镓 G 光电导开关 G 击穿机理 PaCC , 722O H 中图分类号 , N 256 文献标识码 , A 文章编号 , O253-4177( 2OO4) O6-O691-O6 1 引言 近几年来 ~ 随着雷达 ~ 通信 ~ 激光核聚变等技术 的迅速发展 ~ 对高压大功率脉冲发生系统及其开关 技 术 提 出 了 更 高 的 要 求 . 半 导 体 光 电 导 开 关 ( photoconductive Semiconductor SwitcheS ~ PCSS S ) 就 是 利 用 超 快 脉 冲 激 光 器 与 光 电 导 体 ( 如 GaAS ~ InP 等 ) 相结合形成的一类新型器件 ~ 与传统开关相 比 ~ PCSS S 具有开关速度快 ~ 触发无晃动 ~ 寄生电感 电容小 ~ 结构简单紧凑等优点 ~ 特别是耐高压及其大 功率容量使其在超高速电子学和大功率脉冲产生与 整形技术领域 ( 大功率亚纳秒脉冲源 ~ 超宽带射频发 生器等 ) 具有广泛的应用前景[1~ 5] . 实际应用中 ~ 在开关电极间隙一定的情况下 ~ 提 高 PCSS S 功率容量的主要途径就是增加开关的偏 置 电 压 和 输 出 电 流 强 度 . 那 么 ~ 在 强 电 场 触 发 条 件 下 ~ GaAS 芯片可以承受的击穿强度究竟有多大 ? 如 果发生击穿 ~ 触发光强度对击穿有什么影响 ? 击穿的 物理机理又是什么 ? 这些问题无论对开关的研制还 是应用都是亟待解决的 . 通常介质的击穿是指作用 于介质上的外部电场强度超过其本身的介电强度从 而导致介质失去介电性的现象 . 根据介质击穿机理 的不同 ~ 介质击穿可划分为本征电击穿和热击穿 . 对 横向半绝缘 GaAS 光电导开关而言 ~ 本征电击穿是 材 料 两 端 所 加 电 场 高 于 表 面 击 穿 电 场 强 度 造 成 的[6] ~ 击穿表现为沿表面放电 . 另外 ~ 由于开关偏置 电压和触发光能量的不同以及砷化镓材料自身缺陷 等因素也会引起开关芯片局部电场畸变从而使该处 电场强度突然增高 ~ 在过高电场的作用下 ~ 产生热电 子 ~ 热电子与材料分子发生剧烈碰撞 ~ 致使材料的结 合键断裂 ~ 引起材料损坏 . PCSS S 击穿的典型现象 是 , 在强电场偏置下开关处于阻断状态 ~ 当用一定能 量的光脉冲触发开关时 ~ 开关不仅在光照期间导通 ~ 且光脉冲消失后始终维持低阻状态 ~ 伴随有丝状电 流产生 ~ 直到材料损坏 . GaAS 光电导开关击穿的物 理机制比较复杂 ~ 它与电极的接触性质和几何形状 ~ GaAS 体内和表面性质 ~ 光的触发条件 ~ 偏置电压以 及热学条件都有关系 . 本文的工作指出 ~ 在不同的触 发 光 能 量 和 偏 置 电 场 实 验 条 件 下 ~ 横 向 GaAS PCSS S 的击穿表现为完全击穿 ~ 不完全击穿及可恢 复击穿三种不同的开关击穿类型 . 结合实验结果 ~ 本 文从理论上对横向 GaAS PCSS S 的 击 穿 机 理 在 微 观上做了分析 . 2实验 实验用半绝缘 GaAS PCSS S 采用横向结构 如 图 1