微波法制备大面积薄膜设备和工艺调研幻灯片.pptVIP

微波法制备大面积薄膜设备和工艺调研  815 Team 具体内容： 1、微波法制备大面积硅薄膜设备调研 2、微波法制备大面积硅薄膜工艺 3、微波法制备类金刚石薄膜设备调研 4、微波法制备类金刚石薄膜工艺参数 1.微波法制备大面积硅薄膜设备调研 图.２ 多轴级的平面微波等离子体的结构原理图（1:4 功率分配） 图.３ 轴心结构和轴心的局部图 图.４ EcoVeRaR公司实验室镀膜系统 ,16轴级,8微波发生器的平面等离子体源(覆盖面积1 m2),下视(左图),上视(中间)． 图.5 浮化玻璃上沉积的均匀性很好的硅膜(左图), 不同形态硅膜的Raman 光谱(右图). 监控处离子密度的变化为 1% 大面积范围内的等离子体密度 (108-1013cm-3) 腔体压强 (10 Torr) 图.6 SW Probe Monitoring System 　　　Nagoya University, Japan 2、微波法制备大面积硅薄膜工艺 非晶硅材料在太阳能电池、光电存贮器以及作为力敏和应力传感器等 方面的应用而得到广泛的研究，但是在不断推向实用化的过程中，仍 有许多有待解决的问题．其中， 提高材料层的沉积速率无论在实际 应用价值和物理研究中都具有重要意义． 比如，分室制备P-i-n型太 阳电池过程中，为了避免i层沉积室过长并缩短制备周期，必须提高 i层的沉积速率.因而，人们采取各种途径进行高速沉积非晶硅的研 究，大致有二类方式， 一是采用在电子轰击下更易离解的二硅烷或 高硅烷代替单硅烷,另一类是改进能量馈人方式，使得有可能产生更 高能的电子或对生长表面作更有力的轰击．其中，微波等离子体化学 气相沉积(MPCVD)法高速沉积a-Si:H证明是一种新型有效方法.此 外，高速沉积的a-Si:H性能评价研究亦是一项有意义的工作，但是见 诸报道的尚不多．采用MPCVD法制备a-Si:H薄膜， 以单硅烷(SiH4) 为源，氢气为载气，典型情况下，沉积速率比通常辉光放电法高1~2 个数量级， 甚至达90?/s，下面是各种沉积工艺参数和沉积速率对高 速沉积a-Si:H薄膜物理性能的影响． 2.1 a-Si:H膜的光电性能与温度和沉积速度的关系 图7给出了各种沉积条件下膜的光电导率与暗电导率同沉积速率及沉积位 置的关系，该图中沉积位x=0时处于等离子体放电中心.一般来说，在沉 积速率rd=10～40?/s时，光电导与暗电导之比 σph／σd达到103～105 , 随沉积位置不同， 电导率呈现一定的变化趋势， 在放电中心区， σph 及 σd都较高，而随着与放电中心距离的增加，电导率都逐渐下降，这显 然与村底温度有关．从电子迁移率角度考虑， 在亚微晶区(该区只含有少 量的饱和悬挂键的氢)和微晶区内，电子处于电势起伏小，陷阱密度低的 环境之中，所以它们运动较快，从而得到较高电导率， 由于沉积室的温 度分布特性，放电中心区温度呈上升趋势，此处村底温度高使得生长基 团具有较高的能量进行表面迁移，因而达到更好的交联、所以，衬底温 度高时, 亚徽晶区占的比例比温度低时要大， 相应电导率较高. 沉积速率更高情况下膜的光电性能变差, 这可能是在高沉积速率下膜的 结构缺陷增多的缘故． 图.7 电导率和沉积速率与淀积位置的关系a. Power 80W．flow rate 1.78x10-7kg/s．10%SiH4，pressure,133Pab. Power 55W．flow rate 1.78x10-7kg/s．10%SiH4，pressure,133Pa 2.2 a-Si:H膜的氢含量与衬底温度的关系 原子团连续生长之前找到合适的成键位置，造成了各个SiH基团的堆垛， 使得SiH2组态的相对含量增加，其红外光谱中呈现出明显的SiH2吸收 峰，而(Si-H2)n的链状结构增加了形成悬挂键的表面，使得在薄膜中缺陷 态密度增加，导致薄膜光电性能降低；而随着衬底温度增加导致的氢含 量降低，说明这与氢在薄膜中的释放与结合有关。W. M.M. Kessels等人 提出的交叉连结 (Cross-linking) 模型很好地解释了衬底温度影响氢在 a-Si:H的结合问题，即当物理吸附的SiH3基团吸附在一表面悬挂键上变 成化学吸附后，氢可以通过交叉-连结反应而释放；而当系统提供的能量 太低就不能完成交叉-连结反应进而不足于释放氢，就会导致薄膜中较高 的氢含量。 2.3 H2/SiH4稀释比的变化对a-Si:H薄膜的影响 通常在a-Si:H样品中H原子的浓度都在5%~50%之间，因此除较少的H在 饱和悬挂键弱束缚的H扩散减少了缺