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位错理论及应用 学 院：材料科学与工程学院 专 业：材料科学与工程 导 师：朱 旻 昊 学 号：2014201046 姓 名：张 俊 位错理论与应用试题： 名词解释：柯氏气团、扩展位错、位错束集、层错能（20分） 柯氏气团: 位错与溶质原子的交互作用会引起溶质原子向位错线集聚，位错线附近云集溶质原子，形成了溶质原子气团或溶质原子云，称为柯氏气团。 扩展位错: 一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的位错组态称为扩展位错。 位错束集：当杂质原子和其他因素使层错面上某些地区的能量提高时，该地区的扩展位错就会变窄，甚至收缩成一个结点，又变成原来的全位错，这个现象称为位错的束集。如下图C点所示。 层错能：形成层错时几乎不产生点阵畸变，但它破坏了晶体的完整性和正常的周期性，使电子发生反常的衍射效应，故使晶体的能量有所增加，这部分增加的能量称为堆垛层错能。 简述兰克—瑞德位错增值机制及位错的分类？（10分） 兰克—瑞德位错增值机制： 某一滑移面上有一段刃型位错AB，它的两端被位错网节点钉住，不能运动。现沿位错的柏氏矢量方向加切应力，使位错沿滑移面向前进行滑移运动。但由于AB两端固定，所以只能使位错线发生弯曲，如上图（b）所示。单位长度位错线所受的滑移力Fd=τb，它总是与位错线本身垂直，所以弯曲后的位错线每一小段继续受到Fd的作用，会沿它的法线方向向外扩展，其两端则分别绕节点A，B发生回转，见图（c）所示。当两端弯出来的线段相互靠近时，见图（d）所示，由于两线段平行于柏氏矢量，但位错线方向相反，分别属于左螺型位错和右螺型位错，它们互相抵消，形成一闭合的位错环和位错环内的一小段弯曲的位错线。只要外加切应力继续作用，位错环便继续向外扩张，同时环内的弯曲位错在线张力作用下又被拉直，恢复到原始状态，并重复以前的运动，络绎不绝地产生新的位错环，从而造成位错的增殖，并使晶体产生可观的滑移量(Slippage)。 位错的分类: 1刃型位错；2螺型位错；3混合位错。 (1)刃型位错, 假设有一个简单立方结构的晶体，在切应力的作用下发生局部滑移，在晶体内垂直方向出现了一个多余的半原子面，显然在晶格内产生了位错，这种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面，所以称为刃型位错。位错线的上部邻近范围受到压应力，下部邻近范围受到拉应力，离位错线较远处原子正常排列。通常称晶体上半部多出原子面的位错为正刃型位错，反之为负刃型位错。如下图所示。 (2). 螺型位错, 螺型位错：晶体在外加应力的作用下，沿ABCD面滑移，下图中BC线为已滑移区与未滑移区的分界处。在BC与AD线之间上下两层原子发生了错排现象，链接紊乱区原子，会画出一螺旋路径，该路径所包围的管状原子畸变区就是螺型位错。 (3). 混合型位错：在外力τ作用下，两部分晶体之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向，这样的位错称为混合型位错。如下图所示 3.位错的表征及观察方法有哪些？（10分） (1）表面法（或蚀坑法）。表面法（或蚀坑法）是用适当的方法侵蚀晶体表面，以显示位错在表面的露头。这是基于位错线露头处由于应变大或杂质原子偏聚而比表面上其他区域更不稳定，因而优先被侵蚀，形成蚀坑。最常用的方法是化学侵蚀法和点解侵蚀法。其次是热侵蚀法和溅射法，前者是基于位错露头处的原子在高温、真空条件下优先蒸发，后者是基于位错露头处的原子优先被气体粒子轰击掉。此外，在台阶、夹杂物等缺陷处形成的是平底蚀坑，很容易地区别于位错露头处的尖底蚀坑。其原理如下图所示。 （2）透射电镜法。透射电镜法(transmission electron microscopy ，TEM)是应用最广的观测位错及其他晶体缺陷（如堆垛层错、晶界、空洞等）的方法。它通常用来研究缺陷的静态形貌和特性（如位错的性质和柏氏矢量等），但有的电镜带有微型拉伸装置，可以在显微镜下对显微试样（长度少于3mm的试样）进行拉伸，从而可直接观测位错的运动过程，包括位错的增值和交互作用。由于位错附近点阵平面发生局部弯曲，纳米射入位错附近的电子光束就会发生一定角度的衍射，相应使透射的电子光束减弱，从而使位错线变为黑色线条，即可通过透射电镜观察位错。其原理如下图。 (3)缀饰法。有许多晶体对可见光是和红外线是透明的。对于这些晶体，虽然通常并不能直接看到位错，但可以通过掺入适当的“外来”原子，经过热处理使之择优分布在位错线上，形成一串小珠。这种小珠会散射可见光或红外线光，因而可用光学显微镜观察到，这种方法称为缀饰法。 (4) X射线衍衬像方法。X射线衍衬像方法与电子衍衬方法非常类似，差别在于X射线的波长更长，且不带电。由于波长更长，故分辨率更低，只适于研究位错密度很低的材料。但由于不