化学气相沉积综述.pptVIP

第五章 化学气相沉积（CVD） Chemical Vapor Deposition; ★ 化学气相沉积的基本原理 ★ 化学气相沉积的特点 ★ CVD方法简介 ★ 低压化学气相沉积（LPCVD） ★ 等离子体化学气相沉积 ★ 其他CVD方法;参考书目： 1、唐伟忠，薄膜材料制备原理、技术及应用（第2版），冶金工业出版社，2008 2、Hugh O. Pierson，Handbook of Chemical Vapor Deposition, Noyes Publications, 1999; 化学气相沉积（CVD）是一种化学气相生长法。 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体供给基片，利用加热、等离子体、紫外光以及激光等能源，借助气相作用或在基板表面的化学反应（热分解或化学合成）生长形成固态的薄膜。 ; CVD法实际上很早就有应用，用于材料精制、装饰涂层、耐氧化涂层、耐腐蚀涂层等。 CVD法一开始用于硅、锗精制上，随后用于适合外延生长法制作的材料上。 表面保护膜一开始只限于氧化膜、氮化膜等，之后添加了由Ⅲ、Ⅴ族元素构成的新的氧化膜，最近还开发了金属膜、硅化物膜等。 以上这些薄膜的CVD制备法为人们所注意。CVD法制备的多晶硅膜在器件上得到广泛应用，这是CVD法最有效的应用场所。;CVD法发展历程 1880s，第一次应用于白炽灯，提高灯丝强度； 同时诞生许多专利 接下来50年，发展较慢，主要用于高纯难熔金属的制备，如Ta、Ti、Zr等 二战末期，发展迅速 1960年，用于半导体工业 1963年，等离子体CVD用于电子工业 1968年，CVD碳化物涂层用于工业应用 1980s, CVD法制备DLC膜 1990s，金属-有机CVD快速发展; CVD可以制备单晶、多相或非晶态无机薄膜，以及金刚石薄膜、高Tc超导薄膜、透明导电薄膜以及某些敏感功能薄膜。 ;CVD装置的主要部分：反应气体输入部分、反应激活能源供应部分和气体排出部分。;化学气相沉积——基本原理;化学气相沉积——基本原理;化学气相沉积——基本原理;（1）氢化物;;化学气相沉积——基本原理;化学气相沉积——基本原理;化学气相沉积——基本原理;化学气相沉积——基本原理; 根据热力学分析可以指导选择化学反应系统，估计输运温度。 首先根据选择的反应体??，确定 与温度的关系，选择 的反应体系。如果条件满足，说明所选反应体系是合适的。 大于0的温度T1（源区温度）； 小于0的温度T2（沉积区温度）。 根据以上分析，确定合适的温度梯度，可得有效输运。 ;化学气相沉积——基本原理;化学气相沉积——基本原理; （1）化学反应的自由能变化 按热力学原理，化学反应的自由能变化ΔGr可以用反应物和生成物的标准自由能ΔGf来计算，即;化学气相沉积——基本原理;化学气相沉积——基本原理;例2;（2）化学反应路线的选择 稳定的单晶生长条件要求只引入一个生长核心，同时抑制其他生长核心的形成。 需满足条件： ΔGr0，且在数值上尽量接近于零。 此时，反应物和产物近似处于一种平衡共存的状态。 ;例1;（3）化学反应平衡的计算 热力学计算不仅可以预测化学反应进行的可能性，还可以提供化学反应的平衡点位置以及各种工艺条件对平衡点位置影响的重要信息。 为实现这一目的，需要在给定温度、压力、初始化学组成的前提下求解反应达到平衡时各组分的分压或浓度。 举例：利用H2 还原SiCl4 外延制备单晶硅薄膜的反应。;上述体系中，要考虑的气体组分有：SiCl4、SiCl3H、SiCl2H2、SiClH3、SiH4、SiCl2、HCl和H2。;温度确定时，根据K、压力、Cl/H条件所得方程可计算各气体组分分压。;Cl/H=0.01时，Si-Cl-H体系中气体组分的分压随温度变化的计算结果;化学气相沉积——基本原理;一般CVD反应过程涉及的各个动力学环节;（1）气体的输运 气体的输运过程对薄膜的沉积速度、薄膜厚度的均匀性、反应物的利用效率等有重要影响。 气体在CVD系统中有两种宏观流动： 强制对流 外部压力造成的压力梯度使气体从压力高向压力低的地方流动 气体的自然对流 气体温度的不均匀性引起的高温气体上升、低温气体下降的流动 ; 气体的强制对流;流动边界层厚度为;提高Re可降低边界层厚度，从而促进化学反应和