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第7章 pn结 2014年10月 引 言 PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属－半导体接触器件外，所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件－整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。正因为如此， PN结一章在半导体器件物理课的64学时的教学中占有16学时，为总学时的四分之一。 常用的两种形成pn结的工艺 1、合金法 其特点是，n型区中的施主杂质浓度为Nd，而且均匀分布，p型区中的受主杂质浓度为Na,也是均匀分布，在交界面处，杂质浓度由Na （p型）突变为Nd （n型） pn结的形成 能带发生弯曲的原因 7.2零偏　　　 7.2.3空间电荷区宽度 7.2零偏　　　 7.2.3空间电荷区宽度 7.3反 偏 7.3.2势垒电容（结电容） 势垒电容 单位面积电容 * 7.3反偏 　　　　 7.3.2结电容 势垒电容(耗尽层电容) * 势垒电容是反偏电压的函数。 7.3反 偏 　7.3.3单边突变结 NaNd时，这种结称为P+n结。 空间电荷区宽度： * 空间电荷区的宽度和势垒电容主要取决于轻掺杂的一侧。 7.3反偏 　　　　7.3.3单边突变结 * 7.4非均匀掺杂pn结 线性缓变结　x=x′处 a为净杂质浓度梯度； * 7.4非均匀掺杂pn结 线形缓变结 * 7.4非均匀掺杂pn结 7.4.2超突变结 超突变结 X0处的归一化n型掺杂浓度为： 线形缓变结　 超突变结　 外延（内重掺杂，外轻掺杂）　 均匀掺杂结 * 7.4非均匀掺杂pn结 7.4.2超突变结 超突变结的电容表达式 m为负值时，势垒电容很大程度上取决于反偏电压的大小。 超突变结的应用举例：LC电路 LC电路的共振频率： 电路应用中要求fr是反偏电压的线性函数，则： * 7.5小结 均匀掺杂pn结。 空间电荷区。 空间电荷区内的电场。 空间电荷区内的电势差。 外加偏置条件下空间电荷区宽度、内建电势差、势垒电容、场强的变化。 线性缓变结的电场、内建电势差、势垒电容的表达式。 特定的掺杂曲线可以用来实现特定的电容特性 * 掌握pn结中内建电势差、电场强度、空间电荷区宽度、势垒电容的推导. * 作 业 P187复习题 3 7.7 7.16 7.26 * 本章内容 第7章 pn结 7．1 pn结的基本结构 7．2零偏 7．3反偏 *7．4非均匀掺杂pn结 7．5小结 * 由P型半导体和N型半导体实现冶金学接触（原子级接触）所形成的结构叫做PN结。 任何两种物质（绝缘体除外）的冶金学接触都称为结（junction）,有时也叫做接触（contact）. 2、扩散法(平面工艺） 它是在n型单晶硅片上，通过氧化、光刻、扩散等工艺制得的pn结，其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。 其特点是，杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的，通常称为缓变结。 7.1 pn结的基本结构 冶金结:P区和n区的交界面 突变结　突变结-均匀分布，交界处突变 * 7.1 pn结的基本结构 空间电荷区＝耗尽区（没有可自由移动的净电荷，高阻区） PN结的形成 * Space charge region 7.2 零 偏 7.2.1内建电势差 pn结能带图 * 当两块半导体结合成pn结时，按费米能级的意义，电子将从费米能级高的n区向费米能级低的p区，空穴则从p区流向n区，因而FFn不断下移，且EFp不断上移，直至时FFn = EFp为止；这时pn结中有统一的费米能级EF，pn结处于热平衡状态。 Vbi--pn结的内建电 势差或接触电势差； 电子电势能之差，即能 带弯曲量qVbi称为pn结的势垒高度。 本章开始Nd，Na分别指n区和p区内的净施主和受主杂质！ 7.2零偏 7 .2.1内建电势差 * 思考：Vbi与哪些因素有关？ 7.2 零 偏　　　　7.2.2电场强度 半导体内的电场由泊松方程确定： 电场表达式： 电荷密度 耗尽近似： * 7.2 零 偏　　　　 7.2.2电场强度 对n区和p区电场函数积分可得相应的电势表达式： * 7.2零偏　　　 7.2.3空间电荷区宽度 n区和p区的空间电荷区宽度： * 1、对单边突变结，内建电势差主要降落在轻掺杂的一侧； 2、大部分空间电荷区位于轻掺杂的一侧； 3、结两侧的空间电荷数量相同（符号相反）； 4、对单边突变结，空间电荷区的宽度W取决于轻掺杂一侧杂质的浓度。 讨论一 讨论二 为什么，能否定性解释？ 7.3 反 偏 7.3.1空间电荷区宽度与电场 反偏 与内建电场方向相同 EF不再统一 * 外加偏置电压VR（以P