第七章程序逻辑电路讲述.ppt

第7章 存储器、CPLD和FPGA 7.2 只读存储器 7.3 随机存储器 7.4 程序逻辑电路的应用 * * 7.1 概述 数字逻辑 组合逻辑——由门电路构成，没有存储电路和反馈电路。 时序逻辑——由组合逻辑和存储电路构成。 程序逻辑——由硬件（控制电路、存储器等）和软件（程序和数据）构成。 可编程逻辑——由用户定制的器件。 7.1.1 程序逻辑电路的结构及特点 控制电路 存储器 输入电路 输出电路 （1）控制电路——系统的控制指挥中心，由计数器、寄存器、译码器、运算器等电路组成。 （2）存储器——存放程序和数据的器件。 （3）输入电路——完成外部信息和指令、程序的输入。 （4）输出电路——完成处理结果信息和数据的输出。 特点：用一块相同的硬件电路，通过改变存储器中的程序或数据，完成多种功能的操作。 7.1.2 半导体存储器的结构 字数M 字长N 存储矩阵 地址译码器 输出控制电路 A0 A1 Ai-1 Ai-2 … … … … Dk-1 Dk-2 D0 Bk-1 Bk-2 B0 CS WR 数据线 地址线 字线 位线 控制线 1.存储矩阵——存放数据的主体 字——若干个存储单元构成的存储组，有共同的地址，共同用来代表某种信息，并共同写入存储器或从存储器中读出。 字长——构成存储器字中的二进制位数。字长有1、4、8、16、32位等，一般把8位字长称为1字节（Byte），16位字长称为1字（Word）。 存储器的容量——字数M?字长N（位bit）(1B=8b) 1024=1K；1024K=1M；1024M=1G；1024G=1T 字数M 字长N 存储矩阵 地址译码器 输出控制电路 A0 A1 Ai-1 Ai-2 … … … … Dk-1 Dk-2 D0 Bk-1 Bk-2 B0 CS WR 数据线 地址线 字线 位线 控制线 2.地址译码器——产生从存储器“字”的地址 译码方式： （1）线译码——i线2i译码器，译码线数＝ 2i （2）矩阵译码 译码线数＝2 ? 2i/2。 存储器字 行译码器 列译码器 行地址线 2i/2 2i/2 列地址线 … … … … 线译码线数＝1024（i＝10） 矩阵译码线数＝64（i＝10） 3.输出控制电路——控制输出数据的流向和片选使能 0 芯片工作 1 芯片工作，输出为高阻 0 写操作（输入数据） 1 读操作（输出数据） 7.1.3 半导体存储器的分类 1.只读存储器ROM（Read Only Memory） 使用中只读不写，但掉电后信息不会丢失 2.随机存储器RAM（Random Access Memory） 使用中可读可写，但掉电后信息会丢失 随机存取存储器——RAM （1）静态RAM（SRAM）——使用中可读可写，不需要刷新。 （2）动态RAM（DRAM）——使用中可读可写，但需要刷新。 只读存储器——ROM （1）固定ROM（掩膜ROM）——数据在生产时写入，使用中只读不写 （2）可编程ROM（PROM）——数据可由用户一次性编程写入，使用中只读不写。 （3）光可檫可编程ROM（EPROM）——数据可用紫外光檫去并由用户多次编程写入，使用中只读不写。 （4）电可檫可编程ROM（EEPROM）——数据可用电（或紫外光）檫去并由用户多次编程写入，使用中只读不写。 （5）闪烁存储器（Flash Memory） 7.2.1 ROM的结构 1.固定ROM ——数据在工厂制作时写入，使用时不能更改。 (1) 4?4二极管矩阵固定ROM的结构 D3 D2 D1 D0 地址译码器 +EC B3 B2 B1 B0 A1 A0 CS 存储矩阵 输出控制电路 字线 W0 W3 W2 W1 位线 (2) MOS管矩阵固定ROM 字线 位线 2. 可编程ROM（PROM） ——数据可以由用户编程一次性写入，写入后的数据不能再更改。 字线 位线 ～ 熔丝 3. 光可擦可编程ROM（EPROM） ——数据可以用紫外光擦除，并由用户多次编程写入。 字线 位线 FAMOS P+ P+ N底衬 S D 浮栅 FAMOS（浮栅雪崩注入式MOS） 4. 电可擦可编程ROM（EAROM） ——数据可以用电擦除，并由用户多次编程写入。 字线 位线 SIMOS P+ P+ N底衬 S D 浮栅 SIMOS（重叠栅注入式MOS ） Ge 控制栅 5. 可擦除可编程ROM芯片 EPROM EAROM 容量 2716 27C16 2K?8 2732 27C32 4K?8 2764 27C64 8K?8 7.2.2 ROM的应用 1.结构分析 D3 D2 D1 D0 地址译码器 +EC B3 B2 B1 B0 A1 A0