第五章-连续结晶讲述.ppt

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第五章-连续结晶讲述

MSMPR模型的扩展与缺欠 在许多情况下,实验结果与用MSMPR模型所测的直线模型不吻合,特别是小颗粒的情况下,100μm以下。 聚合现象和破碎 在沉淀反应结晶过程中,小颗粒的聚合现象对产品的粒度分布的影响是很大的,为在颗粒蘅算方程中加入此现象,粒数衡算方程可写为: 是由于聚合而形成的颗粒数 是由于破碎而形成的颗粒数 聚并现象是由尺寸U和尺寸V-U进入尺寸V的速率可用下列方程描述: 由破碎而引起的颗粒尺寸的生长和消失也可以用相应的函数表示,如假设一个颗粒破碎成两个相同体积的颗粒,则 虽然在颗粒蘅算方程中包括聚并表示破碎现象是很困难,但结晶过程中这些现象又很重要,因此,在这些方面的研究也很活跃。 由于聚并引起的颗粒密度分布如图4.13 4.14 4.15 颗粒密度分布函数也可用一些其他的控制手段来实现,例如:细晶溶解。分级排除等。 连续结晶过程的模拟 连续结晶过程的稳态 在一定的进料,操作条件下,当体统达到稳态时 结晶器内的过饱和度为稳定值 产品量(悬浮密度),产品的粒度分布为稳定值, 产品的悬浮密度,由物料衡算确定 晶体的成长速率(和成核速率)应满足产品量的要求 结晶器内的过饱和度由晶体含量,晶体的成长速率和成核速率而定,因此,在过程之前为不可知数 模拟所需基本参数和模型 晶体: 密度 体积形状系数 液体: 溶解度数据 C* = f(T) 操作条件: 结晶器体积 V 喂料浓度,喂料速率,蒸发速率, 结晶温度, 搅拌强度 排料位置 * (对不完全混合悬浮状态的结晶过程) 基本模型: 成核速率模型 成长速率模型 模拟过程 给定结晶过程的过饱和度,ΔC 计算溶液的实际浓度 C10 = C* + ΔC 计算溶液的悬浮密度:MT = (C0/(1-Vw/V0))-C10 计算初始成长速率 G = f ( ΔC,L) 计算初始成核速率, 计算n0, n0 = B/G 估计计算产品的粒数密度,例如MSMPR结晶器 计算由颗粒分布得到的悬浮密度 判断:比较在猜测的过饱和度下,根据过程条件得到的产品粒度分布,从而计算的悬浮密度与根据物料衡算得到的悬浮密度 相等:说明所猜测的过饱和度为实际操作的过饱和度,因此计算成立,所得到的产品粒度分布为实际值,输出结果,并计算平均粒径的参数 不等:重新猜测过饱和度,重新计算,直至相等 注意:过饱和度的猜测方法要使用一定的搜索方法,使猜测值逐渐逼近正确值。 连续结晶过程,粒数衡算 第五章 连续结晶过程的特征 连续结晶过程是在结晶系统内保持连续进料,连续排料, 一般的连续结晶过程是在一个能使晶体悬浮的设备内进行 适用于大规模的生产 产品的粒度分布比较宽 过程控制相对比较困难 MSMPR 结晶器 一般的连续操作过程中,都要求预测最终产品的尺寸及其尺寸分布. 混合悬浮、混合产品排出(Mixed suspension, Mixed product remove, MSMPR) 是一个理想的连续操作的结晶器模型。 通过对(MSMPR)结晶器颗粒衡算,得到其粒度分布模型,此模型在分析连续结晶系统中展示了重要的作用。 MSMPR 结晶器假设 产品的颗粒粒度分布和结晶器中粒度分布完全相同,即当产品排出时颗粒没有“分级” 。 颗粒的形成全部是成核,和随后的成长,也就是说,颗粒的破碎,摩擦和聚集现象全部忽略。 颗粒的形状系数不随颗粒的尺寸而变化,因此,特征尺寸可以用来描述全部的颗粒。 进料中不存在任何尺寸的晶体 在此基本的假设下,使用类似于能量和质量衡算的基本方法,可建立颗粒衡算。 粒数衡算 在结晶器内考虑任意颗粒尺寸L,对尺寸范围在L1到L2之间,用n1和n2表示其相应的颗粒密度,对颗粒进行衡算 考虑在此范围的颗粒衡算 L1,G1,n1 L2,G2,n2 L 颗粒进入或离开这一尺寸范围时,可能由于成长或流体流动,用G表示晶体的线性成长速率,V表示结晶器尺寸,Q表示体积流率,则有 1.由于成长进入此尺寸范围的颗粒个数, Vn1G1 2.由于成长离开此尺寸范围的颗粒个数 Vn2G2 3.由于流体流入(喂料)而带入的晶体在此范围的个数 为 在Li+1~Li之间的平均值 4.由于流体流动离开(排料)此尺寸范围的个数 粒数平衡 取极限使ΔL变成最小 V/Q=τ (平均停留时间) 同时假设在进入的流体中设有任何颗粒 如果假设晶体的成长速率不随晶体的尺

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