4.3场效应晶体管及其应用课案.ppt

* 场效应管及其应用 场效应管是电压控制元件,多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 场效应管及其应用 三极管是电流控制元件，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管 绝缘栅场效应管 结型场效应管 一、 绝缘栅场效应管 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出了沟道. N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 绝缘栅型场效应管结构、符号 耗尽型：UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。 增强型：UGS=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。 无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。 MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻RGS很高 绝缘栅型场效应管结构、符号 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVGS(th)）将P区少子电子聚集到P区表面，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。 感应出电子 VGS(th)称为电压开启 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS UGS(th) iD=f(uGS)?uDS=常数 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 增强型场效应管不存在原始导电沟道， UGS=0时场效应管不能导通，ID=0 。 UGS0时会产生垂直于衬底表面的电场。P型衬底与绝缘层的界面将感应出负电荷层，UGS增加，负电荷数量增多，积累的负电荷足够多时，两个N+区沟通，形成导电沟道，漏、源极之间有ID出现。在一定的漏、源电压UDS下，使管子由不导通转为导通的临界栅、源电压称为开启电压UGS(th)。 UGS UGS(th)时，ID=0； UGS UGS(th)时，随UGS的增加ID增大。 N沟道增强型场效应管的特性曲线 N沟道增强型MOS管的基本特性 uGS ＜ UGS(th)，管子截止 uGS ＞UGS(th)，管子导通 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VGS(off) 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 N沟道耗尽型场效应管的特性曲线 耗尽型场效应管存在原始导电沟道，UGS=0时漏、源极之间就可以导电。这时在外加电压UDS作用下的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。UGS0时沟道内感应出的负电荷增多，沟道加宽，沟道电阻减小，ID增大。UGS0时会在沟道内产生出正电荷与原始负电荷复合，沟道变窄，沟道电阻增大，ID减小。UGS达到一定负值时，沟道内载流子全部复合耗尽，沟道被夹断，ID=0，这时的UGS称为夹断电压UGS(off)。 在虚线左边的区域内，漏、源电压UDS相对较小，漏极电流ID随UDS的增加而增加，输出电阻ro较小，且可以通过改变栅、源电压UGS的大小来改变输出电阻ro的阻值，这一区域称为可变电阻区。在虚线右边的区域内，当栅、源电压UGS为常数时，漏极电流ID几乎不随漏、源电压UDS的变化而变化，特性曲线趋于与横轴平行，输出电阻ro很大，在栅、源电压UGS增大时，漏极电流ID随UGS线性增大，这一区域称为放大区。 漏极特性曲线分析 一个重要参数——跨导gm gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。