半导体热电材料-陈健-材物1302解读.pptxVIP

半导体热电材料 材物1302 陈健 热电材料介绍 应用 制冷原理 半导体热电材料 分类 热电材料介绍 制冷原理 半导体热电材料 分类 前景展望 热电材料介绍 它能直接把热能转换成电能，或直接由电能产生致冷作用。半导体出现后，发现它能得到比金属大得多的温差电动势，热能与电能转换有较高的效率，因此，在温差发电、温差致冷方面得到了发展。 半导体热电材料指具有较大热电效应的半导体材料，亦称温差电材料。 概述 所谓的热电效应，是当受热物体中的电子(空穴)，因随着温度梯度由高温区往低温区移动时，所产生电流或电荷堆积的一种现象。 热电效应 热电材料介绍 包括塞贝克效应，珀尔帖效应，汤姆逊效应。 Seebeck Effect 两种不同金属构成的回路中，如果两种金属的结点处温度不同，该回路中就会产生一个温差电动势。这就是塞贝克效应(Seebeck Effect)。 式中S为塞贝克系数，其大小与符号取决于两金属特性及两节点温度。当载流子是电子时，冷端为负，S为负值；当载流子是空穴时，热端为负，S为正值。 Peltier Effect 两种不同的金属构成闭合回路，当回路中存在直流电流时，两个接头之间将产生温差。这就是珀尔帖效应（Peltier Effect）。 Peltier Effect产生的原因是位于节点两边材料中载流子浓度与Fermi能级不一样，当电流通过节点时，为了维持能量和电荷的守恒，必须与环境交换能量。 分类 中温材料 工作温度约为500~600℃，主要是PbTe、GeTe、AgSbTe2或其合金材料。PbTe早已用于工业生产，是较成熟的材料，它制备工艺较简单，且可制成n型和p型材料。中温材料可用于温差致冷(如PbTe等)，工作温度的上限由材料的化学稳定性决定。材料的转换效率一般为5%左右。 高温材料 工作温度约为900~1000℃，主要有SiGe、MnSi2、CeS等。SiGe合金是较成熟的合金材料。虽然制备工艺有一定难度，但机械强度大，工作温度范围宽，从室温到900℃间的平均优值可达8.5×l0-3/℃，SiGe合金材料的理论转换效率可达10%。 低温材料 工作温度约为200℃，主要是Bi2Te3及Bi2Te3为基的固溶体合金材料，常用于温差致冷。温差电材料的转换效率一般为3%~4%。以Bi2Te3为基的温差电材料具有最佳的优值和最大的温度降。 制冷原理 半导体制冷又称热电制冷或温差电制冷，主要是利用热电效应中的帕耳帖效应达到制冷目的。 电子从电源负极出发，经金属片B1、结点4,P型半导体、结点3、金属片A、结点2,N型半导体、结点1、金属片B2，再回到电源的正极。 P型半导体的多数载流子为空穴，其空穴电流方向与电子相反。而空穴在金属中所具有能量低于在P型半导体中所具有的能量。因此空穴在电场的作用下由金属片A通过结点3到达P型半导体时，必须增加一部分能量。但是空穴白身无法增加能量，只有从金属片A处吸收能量，并且把这部分热能转变成空穴的势能，因而使金属片A处的温度降低。 制冷原理 而当空穴沿P型半导体经结点4流向金属片B1时，由于P型半导体中空穴能量大于金属B1中空穴的能量，因而空穴要释放出多余的势能，并巨将其转变为热能释放出来，则使金属片B1处温度升高。 而图中右半部分是由N型半导体与金属片A和金属片B2相连。N型半导体的多数载流子为电子，而电子在金属中的势能低于在N型半导体中所具有的势能。在电场的作用下，电子从金属片A通过结点2到达N型半导体时必然要增加势能，而这部分势能只能从金属片A处取得，结果金属片A处的温度必然会降低。而当电子从N型半导体经结点1流向金属片B2时，因电子由势能高处流向势能低处，因此在金属B2处释放能量，使之转变为热能释放出来，则使金属片B2处温度升高。 制冷原理 前景展望 热电材料低维化是一个热点趋势 提高费米能级态密度，导致载流子有效质量增加，塞贝克系数增大。 由于声子的量子禁闭效应和多层界面声子散射的增加，导致低维材料的热导率降低。 由于量子的约束和调制掺杂等效应，提高了其载流子的迁移率，从而提高热电优值。 热电材料 低维化 理论预言：二维超晶格、 纳米复合材料、 一维纳米结构