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第一章思考题：1、本征半导体中的载流子是由 本征激发产生的，其特征是产生电子空穴对，故两种载流子浓度 相同。2、在本征半导体中掺入 五价元素形成N型半导体，它的多子是自由电子，少子是空穴；而在半导体中掺入三价元素形成P型半导体，它的多子是空穴，少子是自由电子。3、半导体中的两种载流子是自由电子、空穴 ，它们都参与导电。由浓度差引起的载流子的运动称为扩散，而漂移运动则是载流子在内电场作用下的一种运动，这两种运动都能产生电流。4、PN结的势垒层宽度与外加电压的方向和大小有关，它在外加正向电压作用下变窄，有利于多子作扩散运动，在外加反向电压作用下变宽，有利于少子作漂移运动。PN结的基本特性是单向导电性，其伏安特性方程为。5、利用PN结的击穿特性可以制成稳压管。稳压管输出电压稳定，电流变化大。稳压管可构成 并联稳压 电路，该电路工作条件为：输入电压高于输出电压、有限流电阻.6、双极性晶体管有PNP和 NPN两种。从结构上看，由于发射区重掺杂 和基区薄，故发射区发射的载流子绝大部分都能被集电区收集，收集的载流子和发射的载流子之比为α，收集的载流子和在基区复合的载流子之比为β，在数值上，前者小于并接近1， 后者 远大于1。7、晶体管是一个电流控制器件，它作共发射极使用时，其输入电流是基极电流，输出电流是集电极电流，两者关系为放大β倍；作共基极使用时其输入电流是发射极电流，输出电流是集电极电流，两者关系为α倍；无论何种组态，IB、IC、IE 三个电流一定满足 IE=IB+IC。8、晶体管有三个工作区，分别是放大、饱和和截止。使用时一定要加偏置电压，其目的是确定工作点。晶体管开关应用时工作在饱和 和 截止，放大应用时工作在放大。流过晶体管的电流只有大小 变化，没有方向变化，为了放大交流信号，必须建立 静态工作点 。9、放大器是一个功率放大倍数大于1 的电路，放大的含义是指对 交流信号放大。通常画放大器直流通路的原则是电容开路、电感短路，画交流通路的原则是直流电压源短路、直流电流源开路、大电容短路、电感开路。放大器只有当这两个通路都正确时才能正常工作。直流通路确定放大器的工作点，工作点太高时容易产生饱和 失真，克服办法可以采用降低工作点和减小输入信号幅度，工作点太低时容易产生截止失真，克服办法可以采用提高工作点和减小输入信号幅度，工作点的合适位置大致在直流负载线中间。10、晶体管小信号等效电路成立的条件是工作在放大区和输入为小信号（小于26mV），该等效电路只对交流小信号等效，其输入端等效为一个电阻元件，由于晶体管是一个非线性器件，故该元件的数值大小与 静态工作点电流有关。11、结型场效应管的原理是由外加控制电压控制两个PN结的阻挡层宽度，从而控制了沟道宽度，所以PN结必须反偏置，则对于P沟道，控制电压必须，对于N沟道，控制电压必须。12、由于场效应管的栅极电流为零，故其输入电阻很高，从控制模型看它是一种 VCCS。描述FET外部特性的曲线有转移特性和输出特性。从特性曲线看ID主要受的控制，但它与也有关，通常后者称为沟道长度调制效应。13、场效应管的工作区有变电阻区、饱和（放大）区和截止区。使用场效应管首先要设置工作点，其目的是为了确定工作区域。则放大应用的FET应工作在放大（饱和）区，开关应用的FET应工作在变电阻区和截止区。第二章思考题1、放大器总可以用一个输入电阻和一个电压源与输出电阻的串联表示，其中的电压源其实就是当负载开路时放大器的输出电压。2、放大器的输入电阻定义为放大器输入端的电压和电流之比，因此它与信号源内阻无关，而可能与负载有关。而输出电阻定义为去掉信号源而保留内阻、去掉负载后外加电压和由外加电压产生的电流之比，因此它可能与信号源内阻有关，而与负载无关。输入电阻越大表示放大器从信号源获取电压的能力越强，而获取电流的能力越弱。输出电阻表示放大器的带负载能力，输出电阻越小，则该能力越强。3、一个多级相串联的放大器（如三级），则对于中间一级，它的信号源电压是前级放大器的开路输出电压，信号源内阻是前级放大器的输出电阻，其负载是后级放大器的输入电阻。4、放大器可以定义四种增益，即电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益，能体现信号源内阻对放大器性能影响的是源增益。5、放大器中存在非线性失真和线性失真两种失真，两者的根本区别是非线性失真产生新的频率成分，工作点太高会产生饱和失真，太低会产生截止失真。它们都属于非线性失真。当放大器存在幅度失真和相位失真时，若输入为小信号正弦波，则输出信号为正弦波，若输入信号为非正弦波，则输入信号和输出信号频率成分相同。6、放大器的组态是对信号而言的，射极输出器就是共集电极电路，其中双极性晶体管的输入电流是，输出电流是，由于其电压增益约等于1，且输出和输入同相，所以又称为电压跟随器，且具有输入阻抗高、