《华中科技大学-刘勃-模拟电子技术》1509CH03-1N-半导体和二极管原理.pptVIP

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  • 2017-04-07 发布于浙江
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《华中科技大学-刘勃-模拟电子技术》1509CH03-1N-半导体和二极管原理.ppt

* 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 平面型 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 * (c)代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大,用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (a)面接触型 (b)集成电路中的平面型 * 外型 负极 正极 正极 负极 符号 * 半导体二极管图片 * 半导体二极管图片 * 半导体二极管图片 谁在从事半导体行业? * 3.3.2 二极管的V-I 特性 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 0.6~0.7V 0.2V~0.3 二极管的正向压降一般硅管取0.7V锗管取0.2V 没有特殊规定时: * 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 极间电容Cd(CB、 CD ) (5) 反向恢复时间TRR * (1) 最大整流电流IF 是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。 (2) 反向击穿电压VBR 指管子反向击穿时的电压值 一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。 * (3) 反向电流IR 指管子未击穿时的反向电流 值愈小,则管子的单向导电性愈好 由于温度增加,反向电流会明显增加 * (4) 极间电容Cd(CB、 CD ) PN结

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