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第三节 化合物薄膜太阳能电池 一、化合物半导体材料基础 常用于太阳能电池的半导体材料有一些典型特点。首先半导体材料的禁带不能太宽，用作薄膜材料的必须在太阳能光谱范围内有高的光吸收系数；其次材料电性能优秀，缺陷态较低，能保证一定的载流子寿命和扩散长度，载流子复合率尽可能低以保证较高的光电转换效率，当然材料便于工业化生产且性能稳定，对环境无污染等也很重要。 图4-16是截取的元素周期表中几种常用于太阳能电池的半导体材料，以四族为中心，集中在二~六族，以三、五族元素最多。四族元素的价电子数刚好为4，可以自己配对形成稳定的共价键结构，这种由单一元素形成的是元素半导体。其他族的元素则可以几种元素配合，形成总的价电子数为8的稳定共价键结构，这种结构的半导体被称为化合物半导体。图4-17给出了各种半导体材料的禁带宽度（能隙）同理想和实际太阳能电池光电转换效率的关系。从理论上讲，能隙在1.4eV~1.5eV的材料具有最高的理论转换效率，Si显然不能满足，而化合物半导体材料却是能隙可以在 1.1eV 到1.7eV 之間变换的直接半导体材料，光吸收系数非常大，适合薄膜化，不仅是禁带宽度，还可以通过对化合物组分的精确控制来调整材料的基本参数，例如晶格常数、带隙宽度等，也可以改变材料折射率、载流子迁移率、跃迁类型等等。化合物半导体是非常优秀的薄膜太阳能电池材料。 图4-16 光伏电池中常用的半导体元素 图4-17 光伏材料禁带宽度同变换效率的关系 总之，相当于Si系列的太阳能电池，化合物半导体薄膜电池有以下特点： 禁带宽度在1～1.7eV, 与太阳光谱匹配较好。 直接带隙材料，对阳光的吸收系数大，只要几个微米厚就能吸收阳光的绝大部分，因此是制作薄膜太阳电池的优选活性材料。 对温度不敏感，可在较高温度下使用； 电子迁移率高，扩散长度大； 重量轻、可在柔性基片上制作； 无光电效率衰退效应。 化合物半导体可以通过掺杂和成分调整，改变导电类型。化合物半导体也分为n型和p型，掺杂原理同Si半导体是一样的，例如化合物 GaAs中掺 Te，六价的 Te替代五价的 As可形成施主能级，成为n型 GaAs杂质半导体。化合物 GaAs中掺Zn（Mg），二价的 Zn替代三价的 Ga可形成受主能级，成为p型 GaAs杂质半导体。最为特殊的是化合物半导体的自掺杂作用，调整多元化合物半导体的成分，可以形成p型或n型半导体，不用外部掺杂，例如CIGS。 根据材料种类，化合物半导体薄膜电池主要分为三类。分别是： III-V族：以GaAs、InP太阳能电池为代表，抗辐射能力强，主要用于空间和聚光电池； II-VI族：目前转换效率最高的是n型硫化镉(CdS)和p型碲化镉(CdTe)组成的太阳能电池。性能稳定，可印刷制造，量产产品转换效率可达13%左右，但镉（Cd）有毒； 多元：铜铟硒(CuInSe2)太阳能电池，又叫CIS电池。引入元素Ga后可自由调整禁带宽度。铜铟镓硒(CIGS)该电池目前处在兆瓦级中试生产阶段； 二、几种典型的化合物薄膜太阳能电池特性及制备技术 下面介绍几种已经商品化的化合物薄膜太阳能电池。 （一）II-VI族太阳能电池：CdS/CdTe薄膜太阳能电池 CdTe因为其独有的四个特性非常适用于光吸收层（活性层）材料。 禁带宽度为1.45eV，对太阳能光谱非常匹配 CdTe是直接带隙半导体材料，，光吸收系数很高 强烈地趋向于生长成为符合化学匹配且为P型的半导体薄膜，同自然N型的CdS形成p-n异质结） 目前正发展廉价生产的简单沉积技术，可快速大面积成膜：从pn结到电极全部可以用丝网印刷和烧结制成，制造方法简单，制造成本控制的很低，转换效率可达13%左右 除此之外，CdTe电子迁移率高，对多结晶膜中晶粒大小要求低，在使用过程中没有光致衰降，稳定性好，如果采用50～100nm的N-CdS作为窗口层（2.4eV），理论效率可到30％，目前实验室可达开路电压0.88V，效率~19%，商业化电池效率平均～11％，最高可到13%。但最大的问题镉（Cd）引起的公害，虽然CdTe是稳定化合物，而且薄膜化后用量少（1MWCdTe组件250kg），但仍然被很多国家限制。 掺入后导致CdTe成n-型的元素有：In、Cl，导致其成p-型的元素有：Li、Na、Cu、N、P、Se等。 CdTe薄膜电池的经典结构如图4-18所示。 图4-18 CdTe薄膜电池的经典结构和能带结构 CdTe电池制备时，首先在作为透明衬底的玻璃上沉积透明导电层（一般是In2O3或SnO2或两者结合。然后沉积n型CdS膜，再沉积p型CdTe薄膜（通常3-7微米足够光吸收了），并进行特殊处理来改善CdS和CdTe之间p-n结的性能，例如在含氯（Cd