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第五节 单晶电子衍射花样的分析;*;认识深化;;认识深化;透射电镜样品为薄晶体：;电子衍射花样和衍射晶体之间的对应关系：;*;实例;促进电子衍射斑点形成的其它原因： ;2.单晶电子衍射花样的分析;主要方法：
晶体结构已知的单晶电子衍射花样的标定
尝试-校核法
根据面间距和面夹角的尝试校核法
根据衍射斑点的矢径比值或N值序列的R2比值法和面夹角
标准衍射花样对照法
晶体结构未知的单晶电子衍射花样的标定
;*;尝试-校核法标定步骤： ;*;各晶面族的多重因子列表;Example 1;Calculate d values from rd=L? and find the corresponding indices {hkl} from the ASTM card files.
d1=0.0805nm, ? {331}
d2=0.2038nm, ? {111}
d3=0.0784nm, ? {420}
arbitrarily assign h2k2l2 as 111, as r1+r3=r2 , so h1k1l1+ h3k3l3 = 111
we have following hkl to choose:; By trial and error, select ;*;斑点; 假定斑点1为(111)，尝试斑点2 (133) ，代入晶面夹角公式
得f≠820，不符；若选斑点2
(-3 3 1) ， f＝820，相符；
R3= R2-R1，斑点3为(-420)；
同理，推出其它点指数。
;*;标准衍射花样对照法
如果我们预先画出各种晶体点阵主要晶带的倒易截面，以此作为不同入射条件下的标准花样，则实际观察、记录到的衍射花样，可以直接通过与标准花样的对照，写出斑点指数并确定晶带轴方向。
;1. By inspection, h1k1l1= is a low index point in this plane.
2. The perpendicular spot h2k2l2 is determined by putting the condition that h1h2+k1k2+l1l2=0, for the two vectors to be perpendicular, and adding the condition that h2k2l2 lies on the (321)* plane. This gives;From the d spacing formula of cubic system;实例;*;*;Example;Solution 1;5) check the angles;Solution 2;If we assign spot B as 002, the calculated angle agrees with the measured one. So we get the right indices A= and B=002;3. 单晶花样指数化的不唯一性;*;*
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