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因此在向90nm进化过程中遇到的困难也远远高于以前的技术升级，然而，这也为顺利向65nm技术节点发展打下了良好的技术基础。在90nm制造工艺中，采用多项新技术和新工艺。其中应变硅(Strained Silicon)、绝缘硅(SOI，Silicon on insulator)、铜互连技术、低K介电材料的引入等是主要特点。 1、应变硅技术(Strained Silicon)　　应变硅技术是英特尔的90nm工艺中最主要的特色技术。晶体管是一个小开关，决定了电流的通与断，而在现实世界中，我们无法完全地控制电流，必须借助一些附加技术。AMD的SOI(Silicon-on-insulator，绝缘体硅片)就是为了防止泄漏电流和停止电流活动而设计的，应变硅则刚好相反，是为了驱动电流流动而设计的。 　　将待应变硅片放在一种特殊的硅锗底基上，这种硅锗底基的原子间距离比待应变硅片原子间距离大，受底基原子作用，硅片中的原子也将向外运动，彼此间拉开距离，从而减少对电流的阻力。应变硅有效地扩展了晶体管通道区域，把硅直接放到底层的顶部，可以预留更多的空间，更好地扩展到底层上，使上面的硅原子直接和低层相匹配，延伸硅元素到合适的通道中。　　硅原子有更多的空间后，电阻减少了，增加了电流通过的数量。最终结果是使电流流动强度提高了10—20%，或者使当前的电流更加顺畅，从而提高了晶体管的运行速度，提高了芯片的工作频率。 2、七层铜互连技术　　传统集成电路制造工艺主要采用铝作为金属互连材料(Interconnect)，但是随着晶体管尺寸越来越小，在保持信号的高速传输方面已经受到很大的限制。选用电阻率较小的金属作为互联材料，并选用介电常数较小的介电材料是降低信号延时、提高时钟频率的两个主要方向。由于铜的电阻率较铝小，同时能减少互连层的厚度，通过降低电容达到了减少信号延时的效果，因此，如果配合采用低K介电材料，可以降低信号线之间的耦合电容，信号的转换速度也随之加快，即进一步降低了信号的延时。　　此外，现有铝材料在器件密度进一步提高的情况下还会出现由电子迁移引发的可靠性问题，而铜的溶点较高，比铝更不容易发生电子迁移。与铝相比，铜可以在更薄的互连层厚度上通过更高的电流密度，从而降低能量消耗。推动铜工艺走向产业化的另一个重要原因就是与传统的铝工艺相比，铜工艺采用了Damascene工艺，减少了金属互联的层数，从而降低了成本。 　　早在1985年IBM公司就已计划研发用铜替代铝作为芯片上的金属互连材料，但是直到1998年才在诺发公司(Novellus System)的帮助下把该技术应用在实际的集成电路制造工艺中。1999年苹果公司在400 MHz微处理器中采用了铜互连工艺，极大地提升了图形处理能力。　　2000年英特尔公司推出了采用了130nm铜互连技术的Tualatin奔腾III处理器。TI、Xilinx、三星、台积电、联电等公司也开始纷纷采用铜互连工艺。此前在130nm、110nm的制造工艺中已经广泛应用了铜互连技术。铜互连材料已经成为110nm以下制造工艺的唯一选择。在90nm制造工艺中，厂商已经广泛采用了七层层铜互连技术，使硅晶圆上的晶体管可达到100M，从而提高芯片性能。　　除此之外，90nm制造工艺的还其它技术新特性：·1.2nm氧化物栅极厚度，仅有5个原子层厚。越薄的氧化物栅极越好，超薄的氧化物栅极可以提高晶体管的运行速度·晶体管长度仅为50nm，而此前的130nm工艺处理器的晶体管长度是70nm—60nm之间·低K值(绝缘常量)的掺碳氧化物(CDO)绝缘材料，减少线路与线路之间的电容，以提高芯片内的信号速度并降低芯片功耗。这一绝缘材料通过简单的双层堆叠设计实现，非常容易制造。　　最先采用90nm的处理器是英特尔的Prescott处理器。所有基于Prescott 核心的处理器，无论是低端的Celeron D还是Prescott Pentium 4，都用0.09微米制造工艺生产。区别是前者FSB 仅为133MHz(实际频率533MHz)，L2 Cache 也只有256KB，而后者的FSB 则为200MHz(实际频率800MHz) ，L2 Cache 达到1MB ，当然Celeron D处理器的价格要便宜很多。 　　虽然英特尔在Prescott 中采用更深的管线执行长度设计及0.09微米制造工艺，希望可以大大提高处理器的频率，不过由于在0.09微米中不能有效控制晶体管的电泄漏问题，造成Prescott的功耗居高不下、频率也难以达到英特尔所希望的水准。所谓泄漏电流，是指晶体管不管导通还是截止(开关)，均有电流流动。由于本来为截止的时候也有电流流动，由此就会造成电量的浪费。　　泄漏电流造成的耗电量增加是90nm工艺Pres