量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究.pdf

第24卷 第1期2007年 1月 量 子 电 子 学 报CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS Vo1.24 No.1 .Tan. 2007 文章编号:1007-5461(2007)01-0100-05量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究 刘国梁‘，姚江宏卜，许京军‘，王占国“(1天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室，天津市信息光子材料与技术重点实验室，南开大学泰达应用物理学院， 天津 300457;2中国科学院半导体研究所， 北京 100083) 摘 要:多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常 重要的意义。利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程。研究表明，高密度量子点阵 列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度 衰减。高密度量子点阵列中，载流子被热激发到浸润层后，部分地被大量子点再俘获，即在量子点族间转移;低 密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制。不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖 于量子点的激活能差. 关键词:光电子学;光致荧光;速率方程;多模量子点阵列;热激发 中图分类号:TN304.2; 0472.3 文献标识码:A1 引 言 半导体量子点(QD)材料具有极高的理论研究价值和广泛的应用前景[1-41。可以通过不同实验手段研究量子点材料的结构及物理特性，量子点的光致荧光光谱的温度依赖性的研究对于理解量子点器件的工作特性是至关重要的。深入探讨量子点阵列的光致荧光光谱的温度依赖性对于提高半导体量子点器件的性能有着重要指导意义。 多模量子点阵列的结构为多个不同的量子点族(QD尺寸模式)组成，不同点族有不同的点尺寸及点密度[5]。浸润层在载流子转移的过程中起着重要的作用[61，在高密度量子点体系中不同点族间存在如下温度依赖的动力学过程:1)载流子从量子点热逃逸;2)被热激发到浸润层(WL)的载流子被量子点再俘获，从而实现载流子通过浸润层在不同量子点间的转移[7]。低密度量子点阵列体系中的动力学过程则相对简单。. 本文利用多模量子点速率方程模型，模拟了不同密度多模量子点阵列的光致荧光谱的温度依赖关系以及光致荧光热淬灭现象，讨论了多模量子点阵列光致荧光强度比的温度特性。多模量子点中，不同量子点族间的光致荧光强度比可以反映各点中载流子的分布状况，因而通过研究光致荧光强度比的温度挣险关系可以得到各点中载流子的分布情况随温度变化规律。2 理论模型 为了模拟多模量子点阵列体系中载流子动力学过程对温度的依赖性，我们建立了如图1所示模型，并作如下假设: 1)势垒层中载流子的产生率为9; 2)不考虑量子点一势垒层的直接激发或俘获; 3)浸润层载流子数为m，热激发率为R二，非辐射复合率为R,; 墓金项目:国家自然科学基金和长江学者和创新团队发展计划资助收稿日期:2006-02-21; 修改8期:2006-05-12*通信联系人 第 1期 刘国梁等:量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究 101 4)假设有w个尺寸不同的量子点族，n，为不同量子点中的载流子数，.从浸润层俘获载流子的俘获率为认，热激发率为Re i，辐射复合率则为Ri，模型中对R，取相同值; 5)不考虑参数Ci,Rei,Ri,Re,9,R的温度依赖性; 6)模型中只考虑量子点基态，这个假设对于低激发密度实验条件是合理的。 根据以上的理论模型建立稳态速率方程dm mR rnRt ge一壑·w+EniReii=1鲁= mCi -niRe，- niR，一0. =0(1)(2)由(2)式可得 m已Rei+Ri (3) 将(3)式代入(1)式可得 Fig.1 Modal of the carrier dynamics processes inmultimodal quantum dot array ail= .4 1(R二+R)+又认一 CiRei (4)Rei+Ri。又闺经推导得出，由量子点辐射复合产生的发光强度为 Ii=Rini=Rixg 1 Ci (5)(Re+R)+又认一艺，n祥 ni=1 lei州卜」飞iCi Rei Rei+Ri若仅考虑双模量子点阵列的动力学过程，量子点的发光强度公式可简化为 h=Rini=Rixg 1 Ci(Re +R)+2}, Cii=1一2彩ei