金属掺杂对ZnO压敏电阻的影响讲述.docx

华中科技大学电子科学与技术系 电子器件制备工艺课程设计（论文） 固相法制备压敏电阻(ZnO) 班 级: 电子1307 学 号: U201314003 姓 名: 仲世豪 专 业: 电子科学与技术 指导老师: 邱亚琴 二零一 五 年 摘 要 本文以金属离子盐为原料, 采用400r/min转速球磨机球磨成掺杂ZnO前驱物, 将其在700℃下预烧2小时, 得到掺杂ZnO粉体, 并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助压敏电阻特性测量仪对片式压敏电阻的正、反向压敏电压，正、反向非线性系数，正、反向漏电流等进行了测量。研究了不同掺杂浓度对ZnO压敏电阻电性能的影响。结果表明,金属掺杂在百分之零点八时，ZnO压敏的电阻的各项性能达到最佳。 关键词：掺杂ZnO粉体；烧结温度；压敏电阻 Abstract In this paper, by using metal ion salts as raw materials, which was milled at 400r / min speed ,doping into ZnO precursor, then calcined for 2 hours at 700 ℃, to get doped ZnO powder. And the powder was at last used to produce chip ZnO varistors. With the varistor characteristic measurement instrument, the positive and negative varistor voltage, positive and negative non-linear coefficient, forward and reverse leakage current were measured. We studied the effect of doped ZnO powder on the electrical properties of ZnO varistors. The results showed that when the doping content is 0.8％, the properties of ZnO varistor can be the best. Keywords:?doped?ZnO?powder;?sintering?temperature;?varistor 目 录 摘 要 2 Abstract 2 第1章 绪 论 4 -8 1.1概述及发展现状 4 -5 1.2理论依据及本论文的主要方法 5 -8 第2章 实验部分 8-9 2.1实验工艺与过程 8-9 2.1.1称量 8 2.1.2球磨、烘干过筛、预烧 8 2.1.3球磨、烘干、粉碎造粒 9 2.1.4压片、烧结 9 2.1.5涂电极、烧电极、测试 9 第3章 结果与讨论 10-15 3.1实验数据记录与处理 10-15 第4章 建议与体会 15-16 参考文献 17 第1章 绪论 1.1 概述及发展现状 自1968年日本松下电器公司首先研制成功氧化锌压敏陶瓷以来，由于它具有优异的非线性电压──电流特性和吸收能量（浪涌）的能力，人们从制备工艺、基础理论、应用开发等方面进行了大量研究，经过近三十年的研究与开发，在电子线路和电力系统的过电压保护中得到广泛的应用。ＺｎＯ压敏电阻１９７２年应用于电子 线路的过电压吸收，１９７４年开始用于电力系统的 高压方面，后又用作避雷器、高能过电压吸收 （１９７７）、大电流过电压吸收（１９７９）。１９７５年以前， ＺｎＯ压敏电阻主要用在高压方面，１９７５年开始在 低压方面获得应用，如汽车电子线路以及ｌｃ保 护。在新的要求下，向低压化、高能化、大型化等 自控装置发展。实际应用的要求刺激ＺｎＯ压敏 电阻性能不断提高和改善，使之能够不断吸收各 种类型的非正常电压。 我国压敏电阻器始于１９７６年，已有近３０年 的发展历史，其规模性生产是近几年才有所发展 的，产品的性能和产量已基本能满足国内自身的 需要，但与国际同行业相比仍存在一定的差距，如 日本松下、德国西门子、美国Ｈａｒｒｉｓ、日本北陆等 公司的年产量都超过亿只，市场上的后起之秀是 中国的台湾，总产量达１００Ｍ／月，而国内产量上亿 只的生产厂家很少，只有一两家。另外设备普遍 老化，自动化程度低，个别厂家近乎手工作坊，产 品档次低，质量差，无法与世界同行业产品展开竞 争。技术创新势在必行，主要围绕以下