静电防护(ESD)问题幻灯演示_03.pptVIP

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  • 2017-04-10 发布于湖北
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静电防护(ESD)问题幻灯演示_03

静电放电(ESD)及其防护 主讲:林秀华 厦门大学物理与机电工程学院 1 内容安排 0、引言 1、静电的产生 2、静电放电(ESD)效应物理机制 3、洁净车间、机房的静电表现 4、IC. MOS.FET.GaN- LED 失效分析 5、ESD 危害与防患措施 6、电子产品的静电防护 7、ESD 问题和思考 2 0、引言 0.1 静电的基本概念 静电是一种客观的自然现象,由于电荷和电场分布而产生的; 静电现象:电荷的产生和消失过程的电现象; 物体结构-分子-原子; 空气中含有 100 至 500 个带电离子/cm3 ; 地球是个巨大的电场 E≥130V/m,带电云层经过后10000V/m ; 静电与日常用电的异同点。 静电放电全称(ElectroStatic Discharge/ESD) ; 3 0.2 静电主要现象 静电力学现象:静电引力、静电排斥力。 静电感应现象:静电噪音、机器损耗、自控失灵、静电屏蔽、电路不良等。 静电放电现象:雷鸣电闪、静电噪音、电子元器件、 pn 结击穿等。 0、引言(续) 4 1、静电的产生 1.1 静电放电效应(ESD)内因 分子-原子-原子核(核)-感应 荷电性质 正电荷   负电荷 不同质材 聚四氟乙烯 聚乙烯 聚丙烯树脂 聚亚胺酯 醋酸纤维 硬橡胶 木 材 棉 花 纸 张 铝 丝 绸 铅 羊 毛 尼 龙 头 发 云 母 石 棉 空 气 表一:物体摩擦带电电序表: 5 1、静电的产生(续一) 1.2 静电放电效应(ESD)外因 物体相对运动引起(摩擦、位移、接触、冲击) 生产工艺:挤压、切割、搅拌、过滤、喷溅、流动 生活中的行走、起立、穿脱衣服、推拉物体 雷电放电(雷云间或雷云与地面物体) 6 1、静电的产生(续二) 静电来源 湿度 10-25%RH 湿度 65-90%RH 行走在地毯上 35000V 15000V 行走在胶地板上 12000V 250V 在工作台上操作 6000V 100V 捡起塑料胶袋 20000V 1200V 推动发泡胶椅子 18000V 1500V 表二:ESD 的来源: 7 2、静电放电效应物理机制 2.1 三种不同材料(导体、半导体、绝缘体) 表三:性质比较: 电阻率(Ω · cm) 静电感生电荷 表面 导体 10  电荷可自由移动,电荷易在表面重新分布 等势面(有规则形状电荷均匀分布) 半导体 10-1-109 本征半导体(不掺杂)较易受静电影响 非等势面有电位差 绝缘体 1010  产生束缚电荷,电荷 难以在表面重新分布 8 2、静电放电效应物理机制(续一) 图一:带电体电位 VS 体电阻 9 2、静电放电效应物理机制(续二) 2.2 电子、半导体荷电起源 半导体器件制程工艺都在表面上进行(切磨抛、清洗、氧化、光刻、蒸发、烧结、光刻、钝化、划片、测试)制备芯片; 电子产品装配中:传送带、风冷热气流、毛刷刷灰尘、气枪、冲床、气压电动钻孔、锁镙丝、装包装袋、摩擦、剥商标纸等。 10 2、静电放电效应物理机制(续三) 表四:不同半导体材料物理性能差异 半导体 器件 电阻率 ρ(Ω·cm) 导热系数 W/cm·K 散热性 抗静电电压 (V) 硅 二极、三极管IC电路 10-2-102 (掺杂) 1.5 较好 600 碳化硅 红色LED 105-106 (不掺杂) 4.9 好 1000 蓝宝石 绿蓝白LED衬底 >106 0.49 较差 500 11 2、静电放电效应物理机制(续四) 2.3 雷云与闪电,全球每秒有100到300次闪电发生 12 3、洁净车间、机房的静电表现 3.1 电子、半导体车间用具、装置的要求 电子、半导体车间环境 地面、墙壁、工作台、传送带等 电子、半导体车间用具的要求 椅子、风扇、装料盒、各种工具等 电子测量、计量设备装置的要求 13 3、洁净车间、机房的静电表现(续) 3.2 电子计算机房 组成:设备、磁盘、软盘、打印机、配电盘等 特点:防尘、防湿、恒温、净化、防静电 要求:环境清洁度越高,湿度小于50%,环境(地面、工作台、凳子、机台、外围设备等)尤其容易产生 ESD 14 4、IC. MOS.FET.GaN LED失效分析 4.1 失效主要起因 CMOS “栅”层薄,VLIC 集成化密度高、线宽窄、间距小、易静电放电; InGaN 绿、蓝芯片结构是量子阱、厚度十几nm,尤其受静电放电击穿使 pn 结破坏,绿蓝 LED 失效; PCB、电子线路间距小至几十微米,尘埃大于10微米,被吸附后容易造成短路放电。 15 4、IC. MOS.FET.GaN LED失效分析(续) 器件类型 ESD电压值(V) 器件类型 ESD电压值(V)

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