电力电子器件及其驱动电路技术分析.ppt

第二讲 电力电子器件及其驱动电路;2.1 电力二极管;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.1 PN结与电力二极管的工作原理;2.1.2 电力二极管的基本特性;2.1.2 电力二极管的基本特性;2.1.2 电力二极管的基本特性;2.1.2 电力二极管的基本特性;2.1.2 电力二极管的基本特性;2.1.3 电力二极管的主要参数;2.1.3 电力二极管的主要参数;2.1.3 电力二极管的主要参数;2.1.4 电力二极管的主要类型;2.1.4 电力二极管的主要类型;2.1.4 电力二极管的主要类型;2.1.4 电力二极管的主要类型;2.1.4 电力二极管的主要类型;2.1.4 电力二极管的主要类型;2.2 门极可关断晶闸管;2.2.1 概述;2.2.2 GTO的结构和工作原理;2.2.2 GTO的结构和工作原理;2.2.2 GTO的结构和工作原理;导通过程:与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程 度较浅 关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门 极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流 当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 ;2.2.3 GTO的动态特性;2.2.3 GTO的动态特性;2.2.4 GTO的主要参数;2.2.4 GTO的主要参数;2.2.5 GTO的驱动;2.2.5 GTO的驱动;2.2.5 GTO的驱动;2.3 电力场效应晶体管;2.3.1 概述;2.3.1 概述;2.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;2.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;2.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;2.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;2.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;2.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;2.3.3 电力MOSFET的基本特性;2.3.3 电力MOSFET的基本特性;2.3.3 电力MOSFET的基本特性;2.3.3 电力MOSFET的基本特性;2.3.3 电力MOSFET的基本特性;2.3.3 电力MOSFET的基本特性;2.3.3 电力MOSFET的基本特性;2.3.4 电力MOSFET的主要参数;2.3.4 电力MOSFET的主要参数;2.3.4 电力MOSFET的主要参数;2.3.5 电力MOSFET的驱动;2.3.5 电力MOSFET的驱动;2.4 绝缘栅双极晶体管;2.4.1 概述;2.4.1 概述;2.4.2 IGBT的结构和工作原理;2.4.2 IGBT的结构和工作原理;2.4.2 IGBT的结构和工作原理;2.4.3 IGBT的基本特性;2.4.3 IGBT的基本特性;2.4.3 IGBT的基本特性;2.4.3 IGBT的基本特性;2.4.3 IGBT的基本特性;2.4.3 IGBT的基本特性;2.4.4 IGBT的主要参数;2.4.4 IGBT的主要参数;2.4.5 IGBT的擎住效应和安全工作区;2.4.5 IGBT的擎住效应和安全工作区;2.4.5 IGBT的擎住效应和安全工作区;2.4.6 IGBT的驱动;2.4.6 IGBT的驱动;2.5 MOS控制晶闸管;2.5.1 概述;2.5.2 MCT的结构和工作原理;2.5.2 MCT的结构和工作原理;2.5.2 MCT的结构和工作原理;2.5.2 MCT的结构和工作原理;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.3 MCT的基本特性;2.5.4 MCT的主要参数;2.5.4 MCT的主要参数;2.5.4 MCT