3衍射强度汇编.ppt

? 第三章 X射线衍射强度 X射线衍射理论能将晶体结构与衍射花样有机地联系起来，它包括衍射线束的方向、强度和形状。 衍射线束的方向由晶胞的形状大小决定,由Bragg方程描述。 衍射线束的强度由晶胞中原子的位置和种类决定,Bragg方程无法描述衍射强度的大小。 衍射线束的形状大小与晶体的形状大小相关。 ?§3-1 引言 本章我们将讨论X射线衍射强度 从一个电子、一个原子、一个晶胞、一个晶体、粉末多晶循序渐进地介绍它们对X射线的散射问题. 最后讨论粉末多晶体的衍射强度问题. 一、关于衍射强度 **单位时间内通过与衍射方向相垂直的单位面积上的X射线光量子数目。 **绝对强度的测量既困难又无实际意义。 **衍射强度常用同一衍射图中各衍射线强度(积分强度或峰高)的相对比值即相对强度表示. **衍射线的积分强度用图中曲线下阴影部分的面积来表示(书34页3-1)。 **衍射强度理论证明,单位弧长上的衍射强度理论证明可用下式表示: 二、积分强度 I0－入射X射线束的强度, λ－入射X射线的波长 R－由试样到照相底片上的衍射环间的距离 e. m－电子的电荷与质量, C－光速 V－试样被入射X射线所照射的体积. VC－单位晶胞的体积 cm3, F 2HKL －结构（振幅）因子 PHKL－多重性因子, φ（θ）－角因子, e-2M－温度因子 A（θ）－吸收因子 **复杂点阵衍射X射线时，通常会削弱某些方向的衍射强度，也会使某些方向上的衍射消失（衍射强度变为0）。 **对衍射强度作出系统而全面的研究,就要依靠结构因子。当X射线照射到晶体中某个晶胞时，该晶胞中各原子的散射波具有不同的位相和振幅，其合成波的强度为： §3-2 结构因子 F 2HKL －晶胞的散射能力，即结构因子 fk－原子散射振幅，即原子散射因子 K－单胞中的原子个数 mk、pk、qk－原子在晶胞中的坐标 1、一个电子对X射线的散射 根据电磁波理论，当入射线与原子内受核束缚较紧的电子相遇，光量子能量不足以使原子电离，但电子可在X射线交变电场作用下发生受迫振动，这样电子就成为一个电磁波的发射源，向周围辐射与入射X射线波长相同的辐射---称相干散射. X射线射到电子e后，在空间一点P处的相干散射强度可用下列公式描述: + = 2 ) 2 (cos 1 )2 ( 2 0 q R r I I e e Re-经典电子半径, I0-入射X射线强度 2θ-电场中任意一点P到原子与入射X射线方向的夹角 R-电场中任意一点P到发生散射电子的距离 由于质子的质量是电子的1840倍，散射强度只有电子的1／(1840)2，可忽略不计。 物质对X射线的散射可以认为只是电子的散射。 相干散射波虽然只占入射能量的极小部分，但由于它的相干特性而成为X射线衍射分析的基础。 **即一个原子散射波的强度是一个电子散射波强度的Z2倍。 (1)当一束x射线与一个原子相遇，原子核的散射可以忽略不计。如果原子序数为Z的原子都集中在一点，则各电子散射之间不存在位相差，一个原子的散射X射线的强度为: Ie Z ZAe A I a a 2 2 2 ) ( = = = 2、一个原子对X射线的散射 实际原子中的电子对X射线的散射情况（见图）将原子中的电子看成是集中在一点上的这种处理是不准确的。因为实际上电子是按照电子状态分布在原子空间的不同位置上，故各电子的散射波之间是存在位相差的，这一位相差使得合成波的强度减弱。衍射强度为： Ia＝f 2 Ie (2) 实际情况 **f－原子散射因子, f≤Z. **物理意义：某原子散射波的振幅相当于电子散射波振幅的倍数。 2、一个晶胞对X射线的衍射 简单点阵只由一种原子组成，每个晶胞只有一个原子，它分布在晶胞的顶角上，单位晶胞的散射强度相当于一个原子的散射强度。 复杂点阵晶胞中含有n个相同或不同种类的原子，它们除占据单胞的顶角外，还可能出现在体心、面心或其他位置。 复杂点阵单胞的散射波振幅应为单胞中各原子的散射振幅的合成。由于衍射线的相互干涉，某些方向的强度将会加强，而某些方向的强度将会减弱甚至消失。这种规律称为系统消光（或结构消光）。 晶胞中所有原子相干散射的合成波振幅为: 单位晶胞中所有原子相干散射叠加的波即为结构因子, 即以一个电子散射波振幅为单位所表征的晶胞散射波 振幅,用F表示: 原子坐标为uvw的hkl晶面的结构因子为: 结构因子的计算 1、简单点阵 单胞中只有一个原子，基坐标为（000），原子散射因数为f，根据上式计算为: 该种点阵结构因数与HKL无关，即HKL为任意整数时均能产生衍射，例如（100）、（110）、（111）、（200）、（210）…。 2、体心点阵 单胞中有两种位置的原子，即顶角原子（000）,体心原子