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40nm-gate-sb-p-channel-guide
1High-Performance 40nm Gate Length InSb
P-Channel Compressively Strained
Quantum Well Field Effect Transistors for
Low-Power (VCC=0.5V) Logic Applications
M. Radosavljevic, T. Ashley*, A. Andreev*, S. D. Coomber*,
G. Dewey, M. T. Emeny*, M. Fearn*, D. G. Hayes*, K. P. Hilton*,
M. K. Hudait, R. Jefferies*, T. Martin*, R. Pillarisetty, W. Rachmady,
T. Rakshit, S. J. Smith*, M. J. Uren*, D. J. Wallis*, P. J. Wilding*
and Robert Chau
Components Research, TMG
Intel Corporation
*QinetiQ
Contact: robert.s.chau@
2Outline
?Motivation
?Materials
?Transistors
?Benchmarking
?Summary
3?Motivation
?Materials
?Transistors
?Benchmarking
?Summary
Outline
4? III-V n-channel has 30X higher electron mobility over Si
? III-V on Si achieves fT 400GHz at VCC=0.5V
*
5x1011 1012 1013 2x1013
102
103
104
105
E
L
E
C
T
R
O
N
M
O
B
I
L
I
T
Y
[
c
m
2
/
V
s
]
SHEET CARRIER DENSITY [cm-2]
Si
InGaAs
InSb
30X
improvement
Advantages of III-V n-QWFETs for
Low VCC Logic (e.g. 0.5V)
10 100 1000
0
100
200
300
400
500
C
U
T
-
O
F
F
F
R
E
Q
U
E
N
C
Y
,
f
T
[
G
H
Z
]
DC POWER DISSIPATION [?W/?m]
InSb
n-QWFET
on Si
(LG=85nm)
InGaAs
n-QWFET
on Si
(LG=80nm)
VCC = 0.5V
Silicon (LG=60nm)
VCC = 0.5V
VCC = 1.1V
C
U
T
-
O
F
F
F
R
E
Q
U
E
N
C
Y
,
f
T
[
G
H
Z
]
5Measurement Data at VG-VT=0.3V
5X↑
? Veff=Gmi/Cgi, extracted from RF measurements
? Further improvement in Veff via shorter gate-to-QW
separation and continued LG scaling
Advantages of III-V n-QWFETs for
Low VCC Logic (e.g. 0.5V)
60
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-20
0
20
40
60
80
0 0.2 0.4 0.6 0.8
I
n
t
r
i
n
s
i
c
D
r
i
v
e
C
u
r
r
e
n
t
(
m
A
/
?
m
)
%
G
ain III-V over Silicon
Gate Overdrive (V
G
-V
T
) (Volt)
Strained Si
(T
OXE
=14A)
InGaAs QWFET
(T
OXE
=34A)
SS=90mV/dec
DIBL=150mV/V
V
DS
=0.5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
D
r
a
i
n
c
u
r
r
e
n
t
,
I
D
(
m
A
/
?
m
)
Drain voltage, V
DS
(V)
V
G
-V
T
=0.3V
80nm InGaAs QW, TOXE=27A
RSD matched to Si
(Simulated)
80nm InGaAs QW
TOXE=34A
40nm Strained Si
TOX
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