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CS5N20A4 IRFR220 FQD5N20 STD5N20 天玖隆科技
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS5N20A4
P a g e 1 o f 1 0 2011
○RHuajing Discrete Devices
General Description:
CS5N20A4, the silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The
transistor can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-252,
which accords with the RoHS standard..
Features:
Fast Switching
Low ON Resistance(Rdson≤0.65?)
Low Gate Charge (Typical Data:7nC)
Low Reverse transfer capacitances(Typical:8pF)
100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications:
Power switch circuit of adaptor and charger.
Absolute(Tc= 25℃ unless otherwise specified):
Symbol Parameter Rating Units
VDSS Drain-to-Source Voltage 200 V
Continuous Drain Current 4.8 A
ID
Continuous Drain Current TC = 100 °C 3.4 A
IDM
a1
Pulsed Drain Current 19.2 A
VGS Gate-to-Source Voltage ±30 V
EAS
a2
Single Pulse Avalanche Energy 125 mJ
EAR
a1
Avalanche Energy ,Repetitive 12 mJ
IAR
a1 Avalanche Current 1.6 A
dv/dt a3 Peak Diode Recovery dv/dt 5 V/ns
Power Dissipation 40 W
PD
Derating Factor above 25°C 0.32 W/℃
TJ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range 150,–55 to 150 ℃
TL MaximumTemperature for Soldering 300 ℃
VDSS 200 V
ID 4.8 A
PD (TC=25℃) 40 W
RDS(ON)Typ 0.49 ?
IRFR220TR.FQD5N20.STD5N20
P a g e 2 o f 1 0 2011
○R CS5N20A4Huajing Discrete Devices
Electrical Characteristics(Tc= 25℃ unless otherwise specified):
OFF Characteristics
Rating
Symbol Parameter Test Conditions
Min. Typ. Max.
Units
VDSS Drain to Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250μA 200 -- -- V
ΔBVDSS/ΔTJ Bvdss Temperature Coefficient ID=250uA,Reference25℃ -- 0.26 -- V/℃
VDS
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