我国太阳电池产业的发展急需超洁净钢盘条的支撑(2011-7-20).docVIP

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  • 2017-04-11 发布于贵州
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我国太阳电池产业的发展急需超洁净钢盘条的支撑(2011-7-20).doc

我国太阳电池产业的发展急需超洁净钢盘条的支撑(2011-7-20)我国太阳电池产业的发展急需超洁净钢盘条的支撑(2011-7-20)

我国太阳能光伏产业的发展急需高洁净钢盘条的支撑 内容提要:文章就太阳能光伏产业的发展和优质高碳超洁净对晶体硅切割需求的迫切性提出希望和建议。 关键词:太阳能,光伏产业,晶体硅,切割钢丝,超洁净钢。 提纲: 1:太阳能光伏产业发展的态势和展望。 2:晶体硅光伏电池的产业链。 3:关于晶体硅棒的切割和优质钢的关系。 4:研制与开发超洁净钢盘条,应纳入“向钢要得更多”的高效率,高回报的战略发展 范畴。 5:结语。 1:太阳能光伏产业发展的态势和展望。 随着全球气候变暖等环境问题的日益严重,开发新能源和可再生能源的意义重大。温家宝总理在2009年12月哥本哈根气候变化会议上承诺,到2020年单位国内生产总直二氧化碳排放比2005年下降40%~45%;2020年中国非化石能源消费总量的比重占15%。为此新能源行业在“十二五规划”中成为重要的一环,列入“战略性新兴产业规划”中的七大领域之一。2010年12月2日,联合国坎昆气候大会开幕之际,中国财政部,科技部,住房和城乡建设部,国家能源局四部局加上国家电网总公司在京召开会议,宣布:在去年和今年国内应用示范工程陆续建成的基础上,在近两年内将进一步扩大示范,推动国内光伏发电规模化应用。“力争2012年以后每年国内应用规模不低于1000兆瓦(1吉瓦,或1000万千瓦)。国务院发布的“关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定中宣布,到2020年,新能源要成为国民经济的先导产业,要开拓更加多元化的太阳能光伏发电市场。国家关于新能源行业的种种动作和政策都表明,太阳能光伏将在中国有大发展。 中国目前已经成为全球最大的光伏发电设备的生产国。中国2009年生产了4吉瓦的光伏组件,今年预计产量将超过6吉瓦(更有乐观的估计,这个数字可能会达到7-8吉瓦)。但是,中国生产的光伏电池组件96%以上销往国外,国内市场的应用量仅占4%不到。 我国光伏发电应用与国际先进水平相比,差距确实很大。例如德国,人口8000万,国土面积36万平方公里,年安装光伏设施达到4个吉瓦。而人口为德国的15倍,国土面积为德国30倍的中国,年安装光伏组件的量只有德国的1/4。国际市场在享受“中国制造的清洁能源,而高能耗,高污染确留在中国”的同时,又出于种种偏见,不断向中国发出“制裁”,企图压制中国的光伏发电产业的快速发展。经济界有一个理论:“市场在别人手里,就永远会做噩梦”。 进入2011年,国家将“发展新能源和可再生能源”成为“十二五”规划中的重中之重。相关的高层领导终于意识到“生产在中国,应用在外国”的种种弊端,而准备“规模化”的启动光伏发电产业的内需市场。无疑是指明了我国光伏发电产业的方向。 目前国家中长期规划中,可再生能源发电2020年要达到总装机容量20GW (2万MW)的发展目标,也就是说每年至少需要发展100多万KW(1000MW) 装机容量的可再生能源发电系统。晶体硅片是制作光伏太阳能电池的主要材料,根据计算,每生产1MW的太阳能电池组件需要17吨左右的晶体硅原料。 据相关资料,综观光伏发电产业的发展。欧盟提出到2020年光伏发电装机计划达到400GW(吉瓦),日本提出到2020年28GW,印度也提出达到20GW。相比,国有关专家认为中国应该是25GW。如果提高对光伏发电发展应用速度的预期,使光伏发电占总发电量的1%,那么光伏发电装机容量应在2020年达到50GW。如果更加乐观,光伏发电的装机容量达到100GW。此时光伏发电也仅占总的发电装机容量的2%。 表2 2005-2015年世界多晶材料产量预测(万吨) 图表 18:2004-2008年世界多晶硅的产量及2009-2015年的预测 以上资料来自“长江证券研究所” 绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展,硅片市场的供需已极度不平衡。硅原料的供不应求。切割加工能力的落后和生产切割钢丝的高碳,超洁净钢的依赖进口,造成了产业链的“瓶颈”,严重阻碍了我国太阳能和半导体产业的发展。因此,未来的3至5年间,将是中国乃至世界晶硅产业快速发展的黄金时期。 据相关专家测算, 到2015年光伏发电的成本做到1元/1千瓦时是完全可以,而到2020年光伏发电的成本可以达到0.6-0.8元/千瓦时,基本实现平价上网。可见我国的光伏发电产业将方兴未艾。 2:光伏发电的应用和晶体硅光伏生产的产业链: 2.1:光伏发电的应用: 新能源中,太阳光伏产业最重要的用途是建立太阳能光伏发电站。光伏发电最基础的元件是“硅晶体电池片”,它是由晶体硅薄片(厚度0.16mm~0.10mm,边长为125mm×125mm,或156mm×156mm的单晶硅或多晶硅片)为基板,采用半导体微电子技术,在基片上生成PN+结阵列,通过制作正,负电极,生成保护层,反射层,烧结底板,封装而成。单个硅晶体电池片的光伏开路电压大致

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