第十二章隔离研讨.pptVIP

引言;随着集成电路的发展，隔离工艺不但成为提高集成度的关键，而且还直接影响电路的性能，因此隔离工艺的改进，成为半导体集成技术的重要课题之一，它基本上可分为三类：（1）pn结隔离。（2）介质隔离。（3）pn结-介质混合隔离。下面作一些简单的介绍。 ;12-1 pn结隔离;1.基本原理;2.工艺中的几个问题 pn结隔离工艺流程如下图所示;（1） 衬底材料的选择 为了实现pn结隔离，衬底材料必须选用p型单晶，以便和n型外延层之间形成pn结。这一pn结击穿电压的大小主要取决于衬底电阻率的高低。从提高击穿电压和减小隔离结寄生电容考虑，衬底的电阻率高一点好。但选得过高，在长时间的隔离扩散中，会增加外延层向衬底的推移，使隔离时间加长。同时高阻的单晶较贵，因此电阻率不能取得太高，在一般电路中为8到13欧姆厘米。为了得到平坦均匀的扩散结面，还应选用＜111＞ 晶向的硅单晶。厚度一般为300到350微米，应选用位错密度较低（一般应小于3000个/平方厘米），有害杂质少的硅单晶片。;（2）隐埋层扩散杂质源的选择 为了降低集电极串联电阻，在集成电路中必须引入隐埋层，即在集电区外延层下面隐埋一层低电阻率的 薄层，以减小集电极的体电阻，降低饱和压降，同时要求 隐埋层在以后的热处理过程中尽量减少推移，以免使集电结击穿电压下降。因此应选择在硅中的固溶度大，而扩散系数小的杂质为扩散源