2．数据存储器扩展方法.ppt

第五章 单片机存储器扩展技术 ;;;;;;;;;;;;存储器系统基本知识 存储器的分类 1.? 只读存储器（ROM） （1） 掩模工艺ROM （2）可一次性编程ROM（PROM） （3）紫外线擦除可改写ROM（EPROM） （4）电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM） （5）快擦写ROM（flash ROM）;随机存储器RAM（也叫读写存储器） （1） 双极型RAM　 （2） 金属氧化物（MOS）RAM ?静态RAM（SRAM） ?动态RAM（DRAM） ?集成RAM（i RAM） ?非易失性RAM（NVRAM） ;5.1.2 存储器的主要性能指标 1.??????存贮容量 2.????? 存取时间 3.??????可靠性 4.??????功耗;5.2 系统扩展概述 用单片机组成应用系统时，首先要考虑单片机所具有的各种功能能否满足应用系统的要求。如能满足，则称这样的系统为最小应用系统。 图5.1(a)为MCS－51系列中8051和8751单片机的最小系统。 图5.1（b）为由8031、8032单片机组成的最小系统。; 为了使单片机能方便地与各种扩展芯片连接，应将单片机的外部连接变为一般的微型机三总线结构形式。即地址总线、数据总线和控制总线。对MCS－51系列单片机，其三总线由下列通道口的引线组成： 地址总线：由P2口提供高8位地址线（A8――A15），此口具有输出锁存的功能，能保留地址信息。由P0口提供低8位地址线。由于P0口是地址、数据分时使用的通道口，所以为保存地址信息，需外加地址锁存器锁存低8位的地址信息。一般都用ALE正脉冲信号的下降沿控制锁存时刻。 数据总线：由P0口提供。此口是双向、输入三态控制的通道口。 控制总线：扩展系统时常用的控制信号为地址锁存信号ALE，片外程序存储器取指信号以及数据存储器RAM和外设接口共用的读写控制信号等。 ; 图5.2为单片机扩展成三总线的结构图。扩展芯片与主机相连的方法同一般三总线结构的微处理机完全一样。;5.3 访问外部程序、数据存储器的时序 5.3.1 访问外部程序存储器时序 操作时序如图5.3所示，其操作过程如下。 （1）在S1P2时刻产生ALE信号。 （2）由P0、P2口送出16位地址，由于P0口送出的低8位地址只保持到S2P2，所以要利用ALE的下降沿信号将P0口送出的低8位地址信号锁存到地址锁存器中。而P2口送出的高8位地址在整个读指令的过程中都有效，因此不需要对其进行锁存。从S2P2起，ALE信号失效。 （3）从S3P1开始，开始有效，对外部程序存储器进行读操作，将选中的单元中的指令代码从P0口读入，S4P2时刻，失效。 （4）从S4P2后开始第二次读入，过程与第一次相似。;;5.3.2 访问外部数据存储器时序 下面以读时序为例进行介绍，其相应的操作时序如图5.4所示。 图5.4 MCS-51系列单片机访问外部数据存储器的时序图 ;访问外部数据存储器的操作过程如下： （1）从第1次ALE有效到第2次ALE开始有效期间，P0口送出外部ROM单元的低8位地址，P2口送出外部ROM单元的高8位地址，并在有效期间，读入外部ROM单元中的指令代码。 （2）在第2次ALE有效后，P0口送出外部RAM单元的低8位地址，P2口送出外部RAM单元高8位地址。 （3）在第2个机器周期，第1次ALE信号不再出现，此时也失效，并在第2个机器周期的S1P1时，信号开始有效，从P0口读入选中RAM单元中的内容。 ;5.4 存储器扩展的编址技术 5.4.1 线选法 所谓线选法，就是直接以系统的地址作为存储芯片的片选信号，为此只需把高位地址线与存储芯片的片选信号直接连接即可。特点是简单明了，不需增加另外电路。缺点是存储空间不连续。适用于小规模单片机系统的存储器扩展。 【例5-1】现有2K*8位存储器芯片，需扩展8K*8位存储结构采用线选法进行扩展。 扩展8KB的存储器结构需2KB的存储器芯片4块。2K的存储器所用的地址线为A0～A10共11根地址线和片选信号与CPU的连接如表5-1所示。; 表5-1 80C51与存储器的线路连接 ;扩展存储器的硬件连接如图5.5所示。 ;5.4.2 译码法 所谓译码法就是使用译码器对系统的高位地址进行译码，以其译码输出作为存储芯片的片选信号。这是一种最常用的存储器编址方法，能有效地