2.1.2双极型半导体三极管的电流分配与控制-Read.ppt

2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配与控制; 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。; 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:; 以上关系在图02.02的动画中都给予了演示。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。;问题1：除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB 。还可以通过什么方 法加以说明？;2.1.2 双极型半导体三极??的电流分配与控制; ; ; ; ; ; ; ;