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激光原理与技术 第四章 半导体激光器 参考书：FUNDAMENTALS OF PHOTONICS 第八章、半导体激光器 1、半导体激光器原理 2、半导体激光器的基本结构 3、半导体激光器的特性 4、几种典型半导体激光器件 5、半导体激光器的耦合封装 6、半导体激光器的几种典型应用 半导体激光器的发明与发展 国外概况] 半导体激光器的发展大致经历了三个阶段：同质结激光器、异质结激光器和量子阱结构激光器。在第 一阶段，主要是对于半导体激光器基本理论概念的提出。1953年9月，美国的冯·纽曼（John Von Neumann） 在他的一篇未发表的论文手稿中论述了在半导体中产生受激发射的可能性。Ecsle Normale Superieure 的 Pierre Aigrain 在布鲁塞尔的国际会议上，第一个公开发表了在半导体中得到相干光的观点。苏联列别捷夫 研究所的Basov 在1958年公开发表了在半导体中实现粒子数反转的理论论述，又于1961年公开发表了将载 流子注入半导体PN结实现注入激光器的论述。1960年贝尔实验室的布莱和汤姆逊提出了用半导体的平行 解理腔面作光反馈的谐振腔。1961年伯纳德（Bernard）与度拉夫格（Duraffourg）推导出了半导体有源介 质实现粒子数反转的条件。 在上述理论的影响下，1962年，美国的四个实验室几乎同时宣布研制成功同质结GaAs半导体激光器。 但它只能在液氮温度下脉冲工作，毫无实用价值。上述同质结构激光器经历5年的徘徊，1967年，用液相 外延的方法制成单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作的半导体激光器。1970年，美国的贝尔实验室 制成了双异质结半导体激光器,实现了室温连续工作。由于半导体激光器的诸多突出优点，之后，半导体 激光器得到了迅猛发展。其发展速度之快、应用范围之广，是目前任何其他激光器所无法比拟的。 第一个激光二极管 随着半导体激光器性能的不断改进，新的半导体激光材料将激光的波段范 围的拓宽，半导体激光器在许多方面得到应用。最早进入实用的是波长为 0.83~0.85μm。70年代末，在1.3um和1.55 um得到损耗更小的单模光纤,长 波长InGaAsP/InP系激光器也达到实用化。 可见光半导体激光器受光信息处理技术的需求推动，也在70年代开始开 发。量子阱技术使半导体激光器产生新的飞跃。随着分子束外延（MBE） 和金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术的日渐成熟，可以生长 出原子尺寸的薄层，使注入的载流子呈现量子效应，这种量子阱激光器与 以前的体材料激光器相比，具有更优越的特性，如：阈值电流密度低、电 光转换效率高、输出功率大等。并且，通过生长应变量子阱，使得生长非 晶格匹配的外延材料得以实现，拓宽了激光器波长范围。量子阱技术的发 展，推动了大功率半导体激光器的发展 1、半导体激光器原理 ? 半导体的能带结构 … … … … … … 导带 N型半导体中 ……..….. . . ….. .. … … ….. ... … ….. … … … … .. …..… .… .. … .. 电子参加导电 E 费米能级 F 禁带 。。。。。。。。。。。。 。。 。。。 。 。。。 价带 P型半导体中 。 。。 。。 。。 空穴参加导电 热激发过程 当K0 时 载流子的统计分布 服从费米分布， 热平衡条件下，一个电子占据一个能量为E的能级的几率为： 1 路德维希·玻尔兹曼 f = (Ludwig Edward (E?EF ) Boltzmann 1844.2.20- K