用于DDR、QDR和QDR-IVSRAM的超薄型三路输出.PDFVIP

用于 DDR、QDR 和 QDR-IV SRAM 的超薄型三路输出 μModule 稳压器可安放在 0.5cm2 面积内和 PCB 的背面 设计要点 551 Sam Young 和 Afshin Odabaee 引言 0.5cm2 (双面) 或 1cm2 (单面)，而它扁薄的外形则使 QDR-IV 实现了 QDR (四倍数据速率) SRAM 的最高 其能安装在 PCB 的背面，这样就可腾出 PCB 正面的 RTR (随机事务处理速率)，可为高带宽网络、高性能 空间以实现超紧凑的电路板设计。 计算和密集型数据处理应用提供高达 400Gbps 的数据 LTM4632 采用一个介于 3.3V 和 15V 之间的输入电压 传输。在这些较快数据速率下的一项主要挑战是保持 工作，可提供 0.6V 至 2.5V 的精准输出轨电压。该器 在 SRAM 与高速 FPGA 和处理器等器件之间传输数