基于l高中功率因数反激变换器的设计方程.docVIP

基于L6561高功率因数反激变换器的设计方程 引言 使用L6561芯片的反激变换器的三种不同电路可以认为是一样的。如图1所示。 电路1a和1b是基本的反激变换器。前者临界电流连续工作模式（TM即处于电感电流连续和断续的边界上）运行频率与输入电压和输出电流有关。后者以固定频率运行，使用同步信号，完全与等效于一般基于标准PWM（脉宽调变）控制器的反激变换器。 图1a 临界模式反激变换器 图1C是最广泛应用L6561完成PFC（功率因数校正）功能的电路，工作在临界连续模式，但与一般反激完全不同：输入电容很小，输入电压很接近整流的正弦波。此外，控制环路带宽很窄，以至于对出现在输出的两倍电网频率的纹波不敏感。 实际上，该拓扑呈现的高功率因数可以认为是一个额外的优点，但不是因此有吸引力的主要的理由。事实上，尽管PF很容易达到大于0.9, 特别是通用电网，要符合有关线电流THD（总谐波失真）的EMC规范确实是个挑战。 然而，在低功率范围（这里不使用EMC规范－指谐波电流）某些应用，受益于高PF反激变换器能提供的优点。这些优点归纳如下： ? 对于给定功率，输入电容小200倍。在整流桥后面，用小尺寸和便宜的薄膜电容代替大的、高成本电解电容。 ? 在重载时效率高，最高可达90%。临界连续保证MOSFET导通损耗低和/或高功率因数减少整流桥损耗。因而，散热器较小。 ? 零件数量少。这减少采购麻烦和装配成