1.1—半导体二级管讲稿.pptVIP

第一章 常用半导体器件;§1、 半导体的基础知识;2、本征半导体的导电特性;;（２）本征激发; 式中ni 和pi分别表示电子和空穴的浓度(cm–3 )；T为热力学温度(K)；EG0为T=0K时的禁带宽度(硅为1.21eV,锗为0.78eV)；k为玻尔兹曼常数(8.63×10–6 V/K)； K1是与半导体材料有关的常数(硅为3.87×1016cm-3·K-3/2，锗为1.76×1016cm-3·K-3/2)。;3、杂质半导体的导电特性;（1）N型半导体的形成及特性; 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。; 由以上分析可知，本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，而另一种载流子少。 对于多子，通过控制掺杂浓度可严格控制其浓度，而温度变化对其影响很小； 对于少子，主要由本征激发决定，因掺杂使其浓度大大减小，但温度变化时，会使少子浓度有明显变化,将影响??导体器件的性能。 ; 注意： N型和P型半导体中的两种载流子的数量不等，但整个半导体仍呈中性。;§2 、PN结的形成及特性;;;①、反偏时电流小，反偏时电阻大;;②扩散电容CD;注意：;思考：;§3 半导体二极管;（3）平面型二极管;2、二极管的伏安特性;(1) 正向特性;(2)