第4章存储系统综述.ppt

第四章 存储系统;4.1 概述;4.1.1内存的性能指标;4.1.2 存储器的层次结构;1.高速缓存(Cache)：为解决CPU与主存之间的速度匹配,其中存放最近要使用的程序与数据,作为主存中当前活跃信息的副本。 2.主存储器(内存)：CPU可以直接编程访问的存储器，存放计算机运行期间的大量程序的数据。由半导体存储器组成。 3.外存储器(辅助存储器)：CPU不能直接访问,存放暂时不用的程序和数据。速度慢、容量大、价格低，有磁盘存储器、磁带存储器、光盘存储器等。;4.1.3存储器的分类;(1)按存储介质分：作为存储介质的基本要求，必须有两个明显区别的物理状态，分别用来表示二进制的代码0和1。另一方面，存储器的存取速度又取决于这种物理状态的改变速度。目前使用的存储介质主要是半导体器件和磁性材料。用半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器，如磁盘存储器和磁带存储器。 (2)按存取方式分：如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关，这种存储器称为随机存储器。半导体存储器是随机存储器。如果存储器只能按某种顺序来存取，也就是说存取时间和存储单元的物理位置有关，这种存储器称为顺序存储器。如磁带存储器就是顺序存储器，它的存取周期较长。磁盘存储器是半顺序存储器。 ;(3)按存储器的读写功能分： 有些半导体存储器存储的内容是固定不变的，即只能读出而不能写入，因此这种半导体存储器称为只读存储器(ROM)。既能读出又能写人的半导体存储器，称为随机读写存储器(RAM)。 (4)按信息的可保存性分: 断电后信息即消失的存储器，称为非永久记忆的存储器。断电后仍能保存信息的存储器，称为永久性记忆的存储器。磁性材料做成的存储器是永久性存储器，半导体读写存储器RAM和非永久性存储器。 (5)按计算机系统中作用分: 根据存储器在计算机系统中的作用，可以分为主存储器、辅助存储器、高速缓存存储器、控制存储器等。 ;4.2 半导体随机读写存储器 ;静态MOS存储元T1、T2、T3、T4组成的双稳态触发器能够长期保持信息的状态不变，原因是电源通过T3、T4不断供给T1或T2电流。它的特点是当供电电源切断时，原存的信息也消失。 六管静态存储元的结构图如图4-3所示。 ;图中T1、T2为工作管；T3、T4为负载管；T7、T8为控制管。 两个稳态：T1截止，T2导通为“1”态； T2截止，Tl导通为“0”态。 工作原理： ①保持状态(X、Y译码线为低电平，即T5、T6、T7、T8均截止) 保持“1”态： A高 T2导通 B低 T1截止 保持“0”态： A低 T2截至 B高 T1导通 ;②写入状态(X、Y译码线为低电平，即T5、T6、T7、T8均导通) 写“1”：I/O线加高电平 A高 T2导通； I/O线为低电平 B低 Tl截止。 写“0”：I/O线加低电平 A低 T2截止； I/O线为高电平 B高 T1导通。 ③读出状态(X、Y译码线为低电平，即T5、T6、T7、T8均导通) 读“1”(Tl截止、T2导通)：Vcc从T3到T5、T7使D线有电流； 读“0”(T2截止、T1导通)：Vcc从T4到T6、T8使D线有电流，D线无电流。 所以，通过判断D线有无电流即可判断读出的是“1”信息还是“0”信息。 ;2．四管动态MOS存储元(DRAM) (1)存储元的读写原理 四管动态存储元的结构图如下图4－4所示。;上图中，T1，T2为工作管，T5，T6，T7，T8为控制管。 由于MOS管的栅极电阻很大，故泻漏电流很小，在一定时间内这些电荷可以维持住，故动态存储元是利用栅极电容来存储信息的。 两个稳态：C1有电荷，C2无电荷为“0”态； C2有电荷，C1无电荷为“1”态。 工作原理： 保持状态(X、Y译码线为低电平，即T5、T6、T7、T8均截止) 保持“0”态： CI有电荷 T1导通 A低 B高 T2截止 C2无电荷 保持“1”态： C1无电荷 T1截止 A高 B低 T2导通 C2