第二章P—N结所谓平衡P-N结，即指无外界作用且温度恒定的P-N结.doc

第二章 P—N结 所谓平衡P-N结，即指无外界作用且温度恒定的P-N结。pn结作为整流、开关及其他用途的器件，同时也是半导体微波器件及光电器件的基本结构，也是双极型晶体管、可控硅整流器和场效应晶体管的基本组成部分。本章主要讨论由单晶半导体材料的p型区和n型区构成的pn结的性质。pn结最重要的性质是整流效应，即只允许电流一个方向通过。典型的伏安特性，加正向偏置电压时，电流随偏压的增加而迅速增大，通常正向偏压1V。加反向偏压时，开始时几乎没有电流，反向电压增加时，电流一直很小。当电压加到一个极限值时，电流突然增加，这种现象称为结击穿，反向击穿电压大约10V～10KV，与掺杂及器件其他参数有关。 §2.1 热平衡状态下的p－n结 单独的P型和N型半导体是电中性的，内部无电场。但是当把两块（一块P型和一块N型）半导体紧密地结合在一起时，在交界面附近就不再是电中性的了。由于P区具有大量空穴（多子）和少量电子（少子），N区具有大量电子（多子）和少量空穴（少子），因此在界面处存在空穴和电子的浓度梯度，使得空穴由P区向N区扩散，电子由N区向P区扩散，两者都在扩散过程中通过复合而逐渐消失。这样，在结两侧（一个限定区内）电中性被破坏，杂质离子显露出电性。我们把受主离子所显露的负电荷和施主离子所显露的正电荷统称为空间电荷，把存在空间电荷的区域称为空间电荷区，如图1.9所示。图中W表示空间电荷区的宽度。 在空间电荷区内两种电荷以P-N结界面为分界被限定在两个区内，因此就形成了一个由N区指向P区的电场，亦表示在图1.9中。一般把该电场称为自建电场或内建电场， 用εbi表示，在这一电场下，载流子将作漂移运动，且电子和空穴的漂移运动方向与其自身的扩散方向相反，即内建电场阻止载流子继续扩散。 载流子扩散运动一开始，内建电场即随之建立，不过此时电场很弱，其对载流子的漂移作用亦很弱，故载流子主要是扩散运动。随着扩散运动的继续进行，空间电荷数量逐渐增多，空间电荷区加宽，内建电场亦逐渐增强，相应地载流子漂移运动亦随之加强。最后，内建电场对载流子的漂移运动增强到和由浓度梯度引起的扩散运动相互抵消时，宏观上看，载流子没有净的运动，即空穴和电子各自形成的扩散电流与漂移电流大小相等，方向相反，流过P-N结的净电流为零，于是P-N结达到平衡状态。但是，显而易见这种平衡是一种动态平衡。 1、 热平衡下P区与N区的费米能级相等 空间电荷区的电场方向和载流子扩散方向相反，在热平衡下，即在没有任何外界激发并在给定温度的稳定条件下，通过结的净电流为零。这样，由电场引起的两种载流子的漂移电流和由浓度梯度引起的扩散电流完全抵消。 以空穴为例， 电子势能为，其中ψ是相应的静电势，Ei是本征费米能级。 ∴电场为：，又， 由空穴浓度可得， 代入上式可得， 同理，电子电流密度为： 热平衡时，既无空穴电流，也无电子电流，故有。 ∴费米能级EF在整个样品内为常数，与位置x无关。 因此，净电子电流和净空穴电流等于零的条件是费米能级在整个样品内必须为常数。 2、 内建电势（接触电势差） P区与N区的费米能级相等（热平衡），要保持半导体状态不变，P区能带相对于N区需上移qVbi值，于是空间电荷区能带发生了弯曲（如图1.10所示），Vbi称为P-N结的接触电位差。从能带图上可以看出，电子从N区到P区运动，必须越过高度为qVbi的能量陡坡，空穴由P区到N区运动，也要越过同一高度的能量陡坡，一般把该能量高坡称为势垒或位垒，故P-N结空间电荷区又称为势垒区。 热平衡要求费米能级为常数，导致空间电荷在结上形成唯一的分布，泊松方程为： 假设所有的施主和受主都是电离的，远离结的区域保持电中性。 中性区域内， 对p型中性区，假设ND＝n＝0，且pn，则， 静电势相对于费米能级有： 。 同理，对n型中性区，NA＝p＝0，且np，则 ， 静电势相对于费米能级有：。 因此，热平衡下，p型中性区和n型中性区之间的总的电势变化为： Vbi称为内建电势，实际上是组成p－n结的n型材料和p型材料之间的接触电势差。 下面用另一种方法求接触电位差，我们考察热平衡时的情况，此时空穴电流必须为零： （1-26） 式中第一项为扩散电流密度分量，第二项为内建场作用下的漂移电流密度分量。利用爱因斯坦关系后由上式解出电场ε： （1-27） 从空间电荷区P区边界-xP到N区边界xn对（1-27）式积分，即得接触电位差Vbi为 （1-28） 若室温下杂质全部电离，则有pp(-xp)=NA(-xp),nn(xn)=ND(xn),于是接触电位差又可以表示为：