《数字电子技术基础--刘如军》CH23.pptVIP

2. 3 CMOS 集成门电路 2. 3. 1 CMOS 反相器 一、电路组成及工作原理 uA uGSN uGSP TN TP uY 0 V UTN UTP 截止 导通 10 V 10 V UTN UTP 导通 截止 0 V UTN = 2 V UTP = - 2 V CMOS—Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor 互补型金属氧化物半导体 输入端保护电路: C1、C2 — 栅极等效输入电容 (1) 0 uA VDD + uDF (2) uA VDD + uDF D 导通电压： uDF = 0.5 ~ 0.7 V (3) uA - uDF 二极管导通时，限制了电容两端电压的增加。 保护网络 D1、D2、D3 截止 D2、D3 导通 uG = VDD + uDF D1 导通 uG = - uDF 二、静态特性 1. 输入特性： -uDF VDD+uDF 二、静态特性 2. 输出特性： uI为低电平，TN截止、TP导通，uO=UOH，带拉电流负载，电流iO从VDD经TP流出,供给负载RL uI为高电平，TN导通、TP截止，uO=UOL，带灌电流负载，电流iO从VDD经负载RL流入反相器 二、静态特性 3. 电压传输特性： iD A B C D E F UTN VDD UTH UTP