2.2第二讲半导体光源的工作特性及对通信的影响讲解.ppt

第一讲 半导体光源的工作原理 第二讲 半导体光源的结构与工作特性 第三讲 数字光发射机 ;第二讲 半导体光源的结构与工作特性;一、半导体发光二极管(LED);1. 发光二极管的结构;面发光二极管（SLED）;面发光： 从平行于结平面的表面发光。;;2. 工作特性;光谱特性;自发辐射发光，没有谐振腔，发光谱线较宽 谱宽为半最大值处的全宽度 随有源区掺杂浓度的增加而增加 随着温度的升高加宽;P-I特性;P-I特性描述了输出的光功率随注入电流的变化关系 当注入电流较小时，线性度非常好； 当注入电流比较大时，由于PN结的发热，发光效率降低，出现了饱和现象。 温度对P—I特性的影响，当温度升高时，同一电流下的发射功率要降低 ;发光效率;调制特性;发光二极管的模拟调制原理图 ;发光二极管的数字调制原理图;发光二极管的频率响应;发光二极管的频率响应 ;二、半导体激光二极管（LD）;1. 激光器的工作原理 ;激光器的三个基本条件： （1）工作物质 （2）泵浦源 （3）光学谐振腔（与LED的区别） 产生激光还必须满足阈值条件及相位条件;阈值条件（临界条件）;相位条件;2. 激光二极管的结构;3. 工作特性;P-I特性;存在阈值电流Ith：当注入电流小于Ith时，自发辐射发光；当注入电流超过Ith时，受激辐射发光；输出功率与注入电流基本保持线性关系。 对温度很敏感：随着温度的升高，阈值电流增大，发光功率降低。需进行温度控制。有 ;光谱特性;主要由其纵模决定 峰值波长 谱宽：功率等于大于峰值波长功率50%的所有波长范围 线宽：某一纵模中功率等于大于最大功率一半的所有波长范围 边模抑制比(SMSR)：主模功率与最强边模功率之比 (Side Mode Suppression Ratio) ;半导体激光器的发光谱线较为复杂，会随着工作条件的变化而发生变化。 当注入电流低于阈值电流时，激光器发出的是荧光，光谱较宽；当电流增大到阈值电流时，光谱突然变窄，强度增强，出现激光；当注入电流进一步增大，主模的增益增加，而边模的增益减小，振荡模式减少，最后会出现单纵模。 温度升高时激光器的发射谱的峰值波长向长波长方向移动 ;调制特性; 在高速调???情况下，半导体激光器会出现许多复杂动态性质，这些特性会对系统传输速率和通信质量带来影响。 电光延迟 张弛振荡 码型效应 自脉动 单纵模分裂为多纵模 ;电光延迟和张弛振荡;码型效应 ;码型效应;自脉动;单纵模分裂为多纵模 ;高速调制时激光器的输出谱线 ;3. 动态单纵模激光器 ;分布反馈式激光器