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上次课内容回顾;第二节 压阻式传感器;一、压阻效应;电阻相对变化量：;对半导体材料：;压阻式传感器分类;固态压阻式传感器的特点;天然形成的石英晶体;?
;晶向是晶面的法线方向，根据有关的规定：
晶面符号为(hkl)
晶面全集符号为{hkl}
晶向符号为 [hkl]
晶向全集符号为〈hkl〉;分析立方晶体中的晶面、晶向;【例】;三、压阻系数;电阻率的变化与应力分量之间的关系:;分析:;;对P型硅(掺杂三价元素）：
π11、 π12≈0，只考虑π44 ：
对N型硅(掺杂五价元素）：
π44 ≈0 ， π12 ≈ -1/2π11 ，;p;将各个压阻系数向P、Q方向投影:;关于方向余弦;[例1]：计算（100）晶面内[011]晶向的纵向与横向压阻系数。;Date;Date;对P型硅(掺杂三价元素）：只考虑π44
对N型硅(掺杂五价元素）：π12 ≈ -1/2π11 ; [例2]：计算（110）晶面内[110]晶向的纵向与横向压阻系数。;设 [110] 与 [001] 晶向的方向余弦分别为：l1、m1、n1, l2、m2、n2;Date;3、影响压阻系数的因素?
扩散电阻的表面杂质浓度和温度。;解释：;表面杂质浓度低时，温度增加压阻系数下降快
表面杂质浓度高时，温度增加压阻系数下降慢;解释：;四、固态压阻器件;Date; 当硅单晶在任意晶向受到纵向和横向应力作用时，如图 (a)所示，其阻值的相对变化为： ; 径向电阻Rr
切向电阻Rt ; 若圆形硅膜片周边固定，在均布压力的作用下，当膜片位移远小于膜片厚度时，其膜片的应力分布为：
式中r、x、h——膜片的有效半径、计算点半径、厚度（m）；
μ——泊松系数，硅取μ=0.35；
P——压力（Pa）。;平膜片的应力分布图;方案一：既利用纵向压阻效应又利用横向 压阻效应;[110]; 1、在[110]晶向：扩散两个径向P型电阻;2、在[110]晶向：扩散两个切向P型电阻;所以：;r;如：扩散在0.812r处，此时σt=0;方案二：只利用纵向压阻效应;[110]方向方向余弦：;平膜片的应力分布图;内、外电阻值的变化率应为：;1、恒压源供电
;电桥输出为：;2、恒流源供电; 可见，电桥输出与电阻变化成正比，即与被测量成正比，与恒流源电流成正比，即与恒流源电流大小和??度有关。但与温度无关，因此不受温度的影响。;3. 零点温度补偿
;4、灵敏度温度漂移;补偿方法1：改变电源电压的方法; 因为二极管PN结的温度特性为负值，温度每升高1℃时，正向压降约减小(1.9～2.5)mV。;压阻式传感器常用补偿方法;MPX4100A系列集成硅压力传感器 ;应用——三角翼表面压力测量;压阻式加速度传感器 ;微机电系统的微细加工技术;单晶硅立体结构的腐蚀加工过程;表面腐蚀加工——牺牲层技术形成硅梁过程 ;Date;小 结
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