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5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;P沟道;特点：;5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管; (Mental Oxide Semi— FET);;;;;（2）UDS对沟道的控制作用;③预夹断后，UDS?;（3） UDS和UGS同时作用时;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;;③ 饱和区
（恒流区又称放大区）;（2）转移特性; 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。; ① 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。; ②当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大；
③当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。;P 沟道耗尽型管;耗尽型; 场效应管与晶体管的比较;;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.1.5 MOSFET的主要参数
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