层状二硫化钼进展_顾品超分解.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 1 (2016) 018102 综 述 层状二硫化钼研究进展 顾品超 张楷亮 冯玉林 王芳 苗银萍 韩叶梅 张韩霞 (天津理工大学电子信息工程学院, 天津市薄膜电子与通信器件重点验室, 天津 300384) ( 2015 年8 月13 日收到; 2015 年9 月16 日收到修改稿) 近年来, 层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点. 本 文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质; 介绍了制备方法, 包括生长制备和剥离制备. 生长 制备的原料包括四硫代钼酸铵((NH MoS )、钼(Mo) 和三氧化钼(MoO ) 等. 剥离制备包括微机械剥离、液 相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等. 归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面 的应用, 展望了层状二硫化钼的研究前景. 关键词: 层状二硫化钼, 物理结构, 制备方法, 电子器件 PACS: 81.10.–h, 68.35.bg, 61.46.Hk DOI: 10.7498/aps.65.018102 层钼原子的“三明治” 夹心结构, 层与层之间靠范 1 引 言 德华力结合在一起, 每层之间的距离约为0.65 nm. MoS 有着独特的夹带结构, 随着层数的减少, 带隙 自从2004 年英国曼切斯特大学Novoselov 越来越大, 当单层时, MoS 从间接带隙变成直接带 1 隙. 本文综述了二维MoS 的几何结构、能带结构、 等 成功剥离获得石墨烯以来, 石墨烯得到了 广泛的研究. 但是由于石墨烯是天然的零带隙, 这 光学性质、制备方法及其在场效应晶体管、传感器 极大地限制了石墨烯在集成电路(IC) 方面的应用, 和存储等方面的应用, 并展望了应用前景. 虽然能够人工制造带隙, 但需要花费巨大的精力. 除了石墨烯外, 其他二维材料也引起了广泛的关注 2 MoS 的基本性质 和研究, 例如过渡族金属二硫化物, 其中二硫化钼 2.1 MoS 的结构 (MoS ) 受到特别关注. MoS 不同于硅材料的三维 结构, 具有二维的层状结构, 能够制造出体积更小、 MoS 属于过渡族金属二硫化物(TMDC) 2 , 性能更高的器件, 被认为是一种能够延续摩尔定律 TMDC 的化学形式为 , 其中 来自元素周期 的材料, 比传统的硅材料在纳米电子器件中更具有 表的IV 族(Ti, Zr, Hf等)、V 族(V, Nb, Ta)和VI 族 优势. 自20 世纪60 年代开始, MoS 在电池、润滑 (Mo, W 等), 而 代表S, Se, Te. 在二维的TMDC 和催化等领域有着广泛的研究. 近年来, 层状的二 中, 包括三种性质: 金属性、半金属性和半导体性, 维MoS 的半导体特性使其在纳米电子方面有着广 如图1 所示. MoS 就拥有半导体性, 二维的MoS 泛的研究前景. 单层的MoS 是两层硫原子夹着一 在光电子和纳电子器件的