能量转换与存储原理教学资料 第七课 半导体掺杂.pptxVIP

第七课半导体掺杂; 半导体是一种具有特殊导电性能的功能材料，其电阻率介于10-4到1010欧姆?厘米之间，介于金属导体和绝缘体之间。半导体的导电性质可以随着材料的纯度、温度及其它外界条件（如光照）的不同而变化。;2、本征半导体;;3、杂质半导体;替位式杂质和间隙式杂质;以硅为例：;问题？;施主杂质、施主能级; 在正电中心周围的那个多余的价电子受到的束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很少的能量就可以使它挣脱束缚成为导电电子在晶格中自由运动。这时，磷原子就成为少了一个价电子的磷离子(P+)，它是一个不可移动的正电中心。上述电子脱离杂质原子束缚成为导电电子的过程称为杂质电离；使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能。用?ED表示，实验测量表明： V族杂质元素在硅中的电离能很小，约为0.04-0.05eV。;;施主杂质??电离过程，也可以用能带图表示; 一般情况下，杂质是比较少的，杂质原子间的相互作用可以忽略。因此，某一种杂质的施主能级是一些具有相同能量的孤立能级，在能带图中，用一些短线段表示施主能级，每一条短线段对应一个施主杂质原子。在施主能级上画一个小黑点，表示被施主杂质束缚的电子，这时施主杂质处于束缚态。图中的箭头表示被束缚的电子得到能量后从施主能级跃迁到导带成为导电电子的电离过程。; 在纯净的半导体中掺入杂质，杂质电离后，导带中的导电电子增多，增强了半