第4章工艺及器件仿真工具ISE题材.ppt

第4章 工艺及器件仿真工具ISE-TCAD;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;MDRAW 软件的基本使用流程;（4）描述器件 按照需要描述器件（右图中为SOI工艺下PMOS为例）。 （5）形成矩形区域 选择Add Rectangle后拖动鼠标，在弹出的对话框中设置新建矩形的四个边的位置 （右图）。;（6）增加栅氧 增加40的栅氧。材料中选择SiO2，增加一个矩形区域，如右图所示。 （7）增加多晶硅 过程同上，材料选择Poly Silicon，位置右图所示 ;（8）建立非矩形的Spacer区域 建立非矩形区域有两种方式： ①建立矩形区域增加节点后移动节点； ②用Multiline工具建立多边形。 （9）建立中间氧化层 此操作是要在Silicon中间建立绝缘层。操作方法如下（操作方 法有多种，下面以用Multiline工具为例进行说明）： 选择Multiline工具，分别定义绝缘层??边界和下边界。 勾选Exact Coordinates，再通过Move Point工具来精确校 正各个节点，将绝缘层位置定义出来。 然后选择Change Material，将中间的Silicon改成SiO2即可。;（10）为各区域命名 单击Information，再单击各个区域，可以重新为各区域命名。以上工作完成后建立的器件如右图所示。 （11）定义接触 可以将边界或边界的一部分定义为电极接触。单击Add Contact，输入接触的名称，在Contact的下拉菜单中选择所需接触，再单击Set/Unset Contact，选择需要设置的边界即可，如右图所示。;（12）器件的边界定义基本完成 保存文件名为*.bnd。 （13）定义体区、外延层、多晶硅等的掺杂 浓度（常量掺杂） 选择Add Constant P.，拖动鼠标，画出 需定义的大致区域，按照如右上图所示的 对话框进行设置，以外延层为例。 （14）进行解析掺杂 源、漏区是通过扩散得到的，要用解析掺 杂对其进行描述。选择Add Analytical P.， 操作同上，以源掺杂为例，设置过程如右 图所示。 ;（15）定义优化标准 在正式生成网格之前需要先定义优化标准： ① 全局优化标准的定义 ② 局部优化标准的定义 ③ 可变优化标准区域 （16）查看结果 至此，器件的掺杂描述已经全部完成，可以通过工具选择区中的Sample来读出各点的浓度值，并且通过对Parameter中某些选项的选择，可以使某些参数（如掺杂、图例、网格等）显示或不显示。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;主要模型简介 ;小信号AC分析;*/102